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文檔簡介
1、本文采用射頻磁控濺射的方法在多種襯底上沉積了高品質(zhì)的VO2薄膜；分析了VO2薄膜的相變機(jī)理以及影響其相變過程的因素；利用X射線衍射儀(XRD)分析了VO2薄膜的微結(jié)構(gòu)，利用傅里葉紅外光譜儀對VO2薄膜的光學(xué)性能進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)在特定溫度下VO2薄膜發(fā)生相變，其光學(xué)性能隨之發(fā)生突變；并對VO2薄膜在波長為1.319μm激光器照射下的相變特性進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，入射到薄膜表面的平均功率為8.9W，光斑直徑2mm時，激光出光480ms后，V
2、O2薄膜的溫度從室溫上升到約100℃，薄膜發(fā)生了相變，其對1.319μm激光的透過率從相變前的48％降為相變后的28％。通過以上結(jié)果可知，為了進(jìn)一步提高VO2薄膜的實(shí)用性，可以通過降低其相變溫度，增大相變前后透過率的變化來實(shí)現(xiàn)，達(dá)到上述目的的關(guān)鍵在于制備出高品質(zhì)的VO2薄膜；接著探索了非理想配比對VO2薄膜喇曼光譜的影響，討論了非理想配比導(dǎo)致VO2薄膜喇曼光譜變化的原因；最后介紹了VO2薄膜的光電特性，并探討了其在激光防護(hù)應(yīng)用方面的相關(guān)
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