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文檔簡介
1、量子阱混合技術(shù)是一種十分有效的實現(xiàn)多功能單片集成的技術(shù)。它通過在量子阱層附近引入缺陷，繼而快速退火促進缺陷在量子阱層與壘層的組分相互擴散，達到改變能帶結(jié)構(gòu)的目的。與再生長技術(shù)和選擇性生長技術(shù)相比，其工藝簡單、并能十分有效的改變量子阱材料的能帶，是當(dāng)前單片集成技術(shù)中的熱點。本文研究了等離子誘導(dǎo)的量子阱混合技術(shù)，主要創(chuàng)新包括以下幾個方面：
使用氬等離子誘導(dǎo)的量子阱混合在標(biāo)準(zhǔn)的InGaAsP/InP壓應(yīng)變多量子阱結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)了11
2、0nm的波長藍移。系統(tǒng)的研究了ICP功率、退火溫度等主要實驗參數(shù)對量子阱PL峰值藍移、PL峰值強度的影響，并且得到了重復(fù)性很好、有較大藍移的量子阱混合實驗結(jié)果。
首次提出并研究了氮等離子誘導(dǎo)的量子阱混合技術(shù)，使用SRIM模擬分析了氮等離子在InGaAsP/InP結(jié)構(gòu)上的空位缺陷生成速率，分別在有上包層結(jié)構(gòu)和無上包層結(jié)構(gòu)的多量子阱樣品上取得了近100nm的PL峰值波長藍移。
首次使用氬等離子誘導(dǎo)的量子阱混合技術(shù)
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