SiO2基體上直流磁控濺射LaB6-ITO復(fù)合薄膜的性能研究.pdf

1、磁控濺射技術(shù)是一種高效的薄膜沉積工藝，近年來(lái)被得到廣泛應(yīng)用，據(jù)報(bào)道納米LaB6顆粒在近紅外波具有很好的吸收性，ITO薄膜作為代表性的透明導(dǎo)電材料，在中紅外波段具有較強(qiáng)的光反射效應(yīng)，為了綜合兩種材料在紅外光波段的的特點(diǎn)，本文通過(guò)直流磁控濺射方法在玻璃基體上沉積了LaB6/ITO復(fù)合薄膜，并利用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡等測(cè)試儀器研究了退火及不同濺射條件下LaB6/ITO薄膜組織、結(jié)構(gòu)及光電性能的變化。
　　 LaB

2、6/ITO雙層薄膜的結(jié)構(gòu)受第一層LaB6層濺射工藝跟退火工藝的共同影響，退火促進(jìn)了薄膜(222)晶向的生長(zhǎng)。濺射條件對(duì)薄膜的生長(zhǎng)有很大的影響，只在氬氣氛圍下濺射容易形成不均勻的結(jié)構(gòu)，加入偏壓后薄膜生長(zhǎng)更加致密，結(jié)晶更完全，功率過(guò)高或者過(guò)低薄膜容易出現(xiàn)坍塌現(xiàn)象，因?yàn)楸∧?nèi)部存在較大的內(nèi)應(yīng)力。薄膜的生長(zhǎng)模式為島狀生長(zhǎng)，生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)了“手指狀”“圓錐狀”的組織。
　　 改變四種工藝條件氬氣氣壓、基片偏壓、濺射功率、退火溫度，均沒(méi)有得