2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、晶體硅的間接帶隙特性使其不適于作為硅基光源材料。因此,硅基光源成為了制約硅基光電子發(fā)展的瓶頸問(wèn)題。而富硅氮化硅(SiNx)具有優(yōu)秀的光學(xué)性能且制備工藝與CMOS工藝兼容,有可能成為一種制備硅基光源的理想材料。但是由于SiNx的禁帶寬度較寬,不利于載流子的注入;而且氮化硅中有大量的缺陷,發(fā)光效率較低,難以滿足硅基光電子的要求。
　　 因此,我們希望通過(guò)對(duì)器件結(jié)構(gòu)的改善,在利用金屬表面等離基元(SPPs)增強(qiáng)材料的發(fā)光特性的同時(shí),改

2、善器件的載流子注入性能,獲得較高效率的SiNx基發(fā)光器件。本文利用Ag島膜分別增強(qiáng)了結(jié)構(gòu)為ITO/SiO2/SiNx/Ag/P-Si和ITO/Ag/SiNx/P-Si的器件的電致發(fā)光強(qiáng)度,取得如下結(jié)果:
　　 (1),在ITO/SiO2/SiNx/Ag/P-Si結(jié)構(gòu)中,Ag表面等離基元增強(qiáng)了SiNx的輻射效率;粗糙的Ag島膜使器件的載流子注入效率大大提高,并改變了器件的載流子輸運(yùn)機(jī)制;Ag島膜的引入導(dǎo)致器件的ITO薄膜粗糙化,使

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