柔性襯底CZTSSe薄膜材料的研究.pdf

1、銅鋅錫硫（Cu2ZnSnS4）半導(dǎo)體材料因其原材料儲(chǔ)量豐富，成本低，無(wú)污染，吸收系數(shù)高，帶隙可調(diào)，轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，成為最有前景的薄膜太陽(yáng)電池之一。本論文采用熱蒸發(fā)法，在柔性襯底上使用不同工藝方法沉積CZTSSe薄膜，并對(duì)薄膜的形貌、晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了對(duì)比分析，確定了制備CZTSSe薄膜合適的工藝方法。探索了CZTSSe薄膜最佳的生長(zhǎng)條件，在此基礎(chǔ)上制備出適合CZTSSe薄膜太陽(yáng)電池應(yīng)用的CZTSSe薄膜。論文主要得到以下結(jié)果：
　　

2、（1）探索了柔性襯底的CZTSSe薄膜的沉積方法。采用低溫一步法、兩步沉積法和高溫一步法沉積CZTSSe薄膜，對(duì)三種工藝條件制備的薄膜形貌、晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比分析，最終確定高溫一步法為最佳制備方法。
　?。?）探索了Cu蒸發(fā)源和ZnS蒸發(fā)源的最佳蒸發(fā)溫度。采用高溫一步法制備薄膜，改變Cu源和ZnS源的蒸發(fā)溫度，分析在不同蒸發(fā)溫度下薄膜的形貌、晶體結(jié)構(gòu)，最終確定Cu源的最佳蒸發(fā)溫度為1160℃，ZnS源的最佳蒸發(fā)溫度為730℃。