納米鈀膜材料的電化學(xué)制備、結(jié)構(gòu)表征與特殊性能的研究.pdf

1、廈門大學(xué)碩士學(xué)位論文納米鈀膜材料的電化學(xué)制備、結(jié)構(gòu)表征與特殊性能的研究姓名：蔡麗蓉申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：物理化學(xué)指導(dǎo)教師：孫世剛2000.8.1摘 要法剮鈀膜電極上氫還原過程( 吸附和吸收) 進(jìn)行了深入研究，首先發(fā)現(xiàn)了氫在納米鈀膜材料上的“趨膚效應(yīng)”。顯然，上述分子水平和微觀層次的研究對于認(rèn)識材料的納米尺度效應(yīng)，探索異常紅外效應(yīng)的機(jī)理都有重要意義，并在電催化等領(lǐng)域具有直接的應(yīng)用價(jià)值。f 本論文的主要研究內(nèi)容以及結(jié)果可歸結(jié)為以下方面：l

2、1 ．納米P d 膜電極的制備、結(jié)構(gòu)表征及厚度的測量使用循環(huán)伏安電沉積方法制備了納米P d 膜電極。用S T M 觀察到納米P d膜電極是由尺寸為數(shù)百納米的層狀晶體堆積而成，而每個(gè)層狀晶體又均由直徑約為幾個(gè)納米大小的P d 納米微晶聚集而成，說明我們用電化學(xué)循環(huán)伏安方法制備的鈀膜是一種以特殊方式生長而成的納米膜。我們從沉積電量推導(dǎo)了納米P d 膜厚度的計(jì)算公式，并提出了利用S T M 針尖對沉積的金屬薄膜進(jìn)行刻蝕來測量金屬薄膜的平均厚度

3、的方法。2 ．納米P d 膜電極上異常紅外效應(yīng)的研究用電化學(xué)原位紅外反射光譜方法和循環(huán)伏安方法研究納米P d 膜電極上C O 、C N 的吸附特性以及C O 和C N - 的共吸附現(xiàn)象。發(fā)現(xiàn)C O 在納米P d 膜電極七的吸附具有異常紅外效應(yīng)，主要包括C O 。c 譜峰方向倒反，譜峰強(qiáng)度顯著增強(qiáng)，以及譜峰半峰寬增大等特點(diǎn)。同時(shí)隨著納米P d 膜厚度的增大，譜峰增強(qiáng)的程度經(jīng)歷了由小變大再變小的過程。還發(fā)現(xiàn)C N 在01 t 0 0 1 ．