觸摸屏中金屬橋及ITO圖形消影的控制與機理研究.pdf

1、ITO傳感器（ITO Sensor），目前廣泛應用于各類的電容式觸摸屏中。通過刻蝕玻璃基板上的ITO形成ITO電極陣列，再鍍金屬膜，接著刻蝕金屬膜在行電極與列電極交叉處形成金屬橋，這便是ITO傳感器的一般制作方法。由于金屬橋的反射率遠高于周圍ITO膜和玻璃基板的，使得肉眼能觀察到觸控玻璃表面有金屬橋影。同時觸控玻璃表面有ITO的區(qū)域與無ITO的區(qū)域反射率相差較大，視覺反差明顯，肉眼可觀察到ITO電極影。針對目前ITO觸控玻璃存在金屬橋影

2、和ITO電極影的問題，本文通過改進磁控濺射工藝條件以及鍍制光學薄膜的途徑，來解決這兩個具有實際應用價值的問題。主要工作內(nèi)容及結(jié)論如下：
　?。?）金屬橋的主要成分是鋁膜，通過改進鍍鋁膜的工藝條件，適當增大鋁膜表面粗糙度，以降低金屬橋的反射率。
　?。?）經(jīng)實驗探索出合適的直流磁控濺射條件：濺射功率400W，濺射氣壓4mT，基板溫度130℃，此時鋁膜表面粗糙度是19.2nm。實測工藝改進前后金屬橋反射率從65.5％減小到54.

3、8%，金屬橋影得到有效削弱。
　?。?）在玻璃基板與ITO膜層之間鍍一種雙層結(jié)構(gòu)消影膜（invisible film或index match film），這種消影膜由一層Nb2O5和一層SiO2組成。所用玻璃基板厚度0.7mm，計算出Nb2O5、SiO2、ITO膜層的厚度分別為7nm、58nm、21nm時，在可見光范圍可使觸控玻璃ITO區(qū)域與無ITO區(qū)域反射率差值ΔR小于1.0%，滿足消影要求。
　?。?）制備鍍出有雙層結(jié)構(gòu)

4、消影膜的ITO觸控玻璃樣品，測出其在可見光范圍的反射率、透過率。結(jié)果表明鍍有消影膜的ITO觸控玻璃能使ΔR基本都控制在1.0%以下，消影效果良好，同時使透過率變得比較均勻。
　　（5）在雙層消影膜的基礎(chǔ)上設計四層結(jié)構(gòu)的消影膜。鍍有四層消影膜的ITO觸控玻璃結(jié)構(gòu)為Glass|Nb2O5|SiO2|Nb2O5|SiO2|ITO。計算出最優(yōu)的各層厚度為0.7mm|5nm|54nm|10nm|41nm|15nm。理論上可以使可見光范圍內(nèi)Δ