柔性頂發(fā)射磷光白光有機(jī)發(fā)光二極管.pdf

1、白光有機(jī)發(fā)光二極管（WOLED）在固體照明和作為全彩顯示的背光源方面有潛在的應(yīng)用價(jià)值，特別是頂發(fā)射白光有機(jī)發(fā)光二極管（TWOLED），由于其開口率大、對(duì)比度高、無需透明基底等諸多優(yōu)點(diǎn)受到業(yè)界的廣泛關(guān)注。
　　本課題在玻璃基片上制作了磷光TWOLED，該器件是本組工作的延續(xù)，是對(duì)器件物理結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，原結(jié)構(gòu)為：Ag(100 nm)/MEO-TPD:1.8％F4-TCNQ(30 nm)/MEO-TPD(10 nm)/Ir(ppz)

2、3(10 nm)/CBP:0.6% Ir(MDQ)2acac(5 nm)/SPPO1:10%FIrpic(20 nm)/Bphen(30 nm)/Sm(5 nm)/Ag(16 nm)。通過對(duì)能帶結(jié)構(gòu)的分析，該TWOLED器件的復(fù)合區(qū)域主要集中在紅光層與Ir(ppz)3界面，這就意味著只有紅光充分發(fā)光后，藍(lán)光才能發(fā)光，所以為了獲得理想的白光器件，紅光的濃度必須很低，同時(shí)藍(lán)光的濃度很高。實(shí)驗(yàn)證明紅光客體的濃度不能超過0.8%，白光器件的效率

3、最高能達(dá)到2.6 cd/A，亮度從1237增加到1763 cd/m2時(shí)，色坐標(biāo)變化為（0.01786，0.00316）。通過理論分析，本論文中將器件結(jié)構(gòu)改進(jìn)為：Ag(100 nm)/MEO-TPD:1.8% F4-TCNQ(30 nm)/ MEO-TPD(10 nm)/Ir(ppz)3(10 nm)/CBP:4%Ir(MDQ)2acac(5 nm)/ Ir(ppz)3(2 nm)/SPPO1:10%FIrpic(20 nm)/Bphen

4、(30 nm)/Sm(5 nm)/Ag(16 nm)，也就是在紅光發(fā)光層和藍(lán)光發(fā)光層之間加入了一層2 nm厚的Ir(ppz)3，并將紅光客體的濃度提高到2%，最終器件的效率提升到了5 cd/A，亮度從1956增加到2685 cd/m2時(shí)，色坐標(biāo)變化為（0.00637，0.00171）。通過能級(jí)圖可以看出，加入2 nm的阻隔層后器件的主要復(fù)合區(qū)域比改進(jìn)前增加了一個(gè)，本文也通過部分摻雜實(shí)驗(yàn)結(jié)合光譜分析證明了器件存在的兩個(gè)主要復(fù)合區(qū)域。通過光

5、譜分析，我們認(rèn)為器件中紅光的發(fā)光并不是藍(lán)光向紅光的F?rster能量轉(zhuǎn)移。我們還進(jìn)一步測試了器件的磷光壽命，測試結(jié)果說明了之前對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析是正確的，同時(shí)也說明了我們實(shí)驗(yàn)中的使用的部分摻雜方法是有效的。通過進(jìn)一步分析，我們還發(fā)現(xiàn)電子通過阻隔層的方式為隧道擊穿，并描述了器件中電子、空穴的運(yùn)動(dòng)過程。
　　本文將改進(jìn)后的TWOLED器件結(jié)構(gòu)移植到了柔性基底上，并對(duì)基片進(jìn)行熱壓處理，通過對(duì)器件的光譜、電流密度-電壓關(guān)系、效率-電流密度關(guān)