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文檔簡介
1、該文首先在引言部分對壓電薄膜材料的應(yīng)用前景、制備方法和目前的研究現(xiàn)狀進(jìn)行了評述,基于此,提出了該文的選題依據(jù),即研究壓電薄膜材料中的殘余應(yīng)力是基于"壓電薄膜的重要應(yīng)用背景和殘余應(yīng)力對壓電薄膜性能的可能影響".我們選擇鋯鈦酸鉛Pb(Zr<,1-x>Ti<,x>)O<,3>(PZT)薄膜作為我們的研究對象.首先我們制備出了這種薄膜,從制備大塊的鋯鈦酸鉛Pb(Zr<,1-x>Ti<,x>)O<,3>(PZT)壓電陶瓷靶材入手,借助于X射線衍射
2、儀得到了制備出性能比較好的靶材的工藝條件,也詳細(xì)地介紹了用脈沖激光沉積法(PLD)和金屬有機(jī)源分解法(MOD)制備PZT薄膜的實(shí)驗(yàn)方法,基底材料的選擇和電極的制作等有關(guān)技術(shù)問題.其次我們借助于X射線衍射儀和掃描電鏡對制備的PZT薄膜的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了細(xì)致的分析,而且對各種工藝參數(shù)對PZT薄膜結(jié)構(gòu)的影響進(jìn)行了討論,不僅如此,我們還對PZT薄膜的鐵電性能進(jìn)行了測量和它與制備工藝的關(guān)系進(jìn)行了分析和討論.該文的重點(diǎn)是PZT薄膜的殘余應(yīng)力的測量和它
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