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文檔簡介
1、 硅化物熱電材料因其熔點高,物理化學性能穩(wěn)定,抗氧化性好,無毒性,易于制備等優(yōu)點成為一類頗具應用前景的熱電材料。過去硅化物摻雜的研究集中于替代金屬元素側,而對硅側置換研究很少。本文用B、Al、Ge三種元素對CoSi合金的硅側進行置換,研究了三種元素摻雜在CoSi化合物的固溶、析出行為和對熱電性能的影響。半導體Bi2Te3是一種已成功應用于制冷領域的熱電材料,也一直是熱電領域研究的熱點。我們以Ag、Sb在Bi2Te3化合物中同時取代Bi
2、位置,期望在基體中能夠獲得納米尺度的富和貧Ag-Sb區(qū),本文也報道了不同n值的AgBi2nSbTe3n+3化合物的微觀組織。采用熔融退火法制備了CoSi1-xBx(x=0,0.003,0.005,0.008,0.01,0.02)、CoSi1-yAly(y=0.05,0.1,0.2,0.3,0.5,0.6,0.7,0.8,0.9,1.0)和CoSi1-zGez(z=0.01,0.02,0.04,0.05,0.1)多晶試樣,用電子探針背散射
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