已閱讀1頁(yè),還剩68頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 高壓SOi-pLDMOS器件可靠性機(jī)理及模型研究.pdf
- 200V功率SOI-PLDMOS器件熱載流子退化機(jī)理研究.pdf
- SOI高壓MOS器件擊穿特性研究.pdf
- 400V薄層SOI高壓器件研究.pdf
- 薄層SOI高壓LDMOS器件模型與特性研究.pdf
- 基于器件數(shù)值仿真軟件的薄層SOI高壓器件設(shè)計(jì).pdf
- 埋氧層減薄的SOI LDMOS器件擊穿特性的研究.pdf
- 200V SOI-PLDMOS器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)及其可靠性分析.pdf
- 功率SOI-LIGBT器件可靠性機(jī)理研究.pdf
- GaN功率器件擊穿機(jī)理與耐壓新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 高壓SOILDMOS擊穿機(jī)理分析及器件制備.pdf
- 深亞微米SOI器件薄柵氧化機(jī)理?yè)p傷研究.pdf
- GaN基垂直功率器件擊穿機(jī)理與新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 氮化鎵基半導(dǎo)體電力電子器件擊穿機(jī)理研究.pdf
- 新型功率SOI橫向器件研究.pdf
- SOI高壓薄層LDMOS可靠性的研究.pdf
- SOI-SiGe器件的研究.pdf
- 新型SOI LDMOS高壓器件研究.pdf
- SOI功率器件的新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- SOI SiGe HDTMOS器件及電路研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論