2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展提高了晶體管的速度,現(xiàn)代CMOS工藝下的晶體管已經(jīng)能夠應(yīng)用在毫米波領(lǐng)域,同時(shí)CMOS工藝在集成度方面具有著很大的優(yōu)勢,個(gè)人通信應(yīng)用得到了迅速的發(fā)展。
   伴隨著CMOS工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,相繼變小的晶體管尺寸,最終帶來的結(jié)果是現(xiàn)在的超大規(guī)模集成電路中具有更高的晶體管密度以及工作在更高的頻率環(huán)境下。大多數(shù)的信號處理過程轉(zhuǎn)移到了數(shù)字領(lǐng)域。
   利用CMOS工藝設(shè)計(jì)滿足現(xiàn)代無線通信標(biāo)準(zhǔn)所要求的全集成的

2、頻率綜合器具有很大的挑戰(zhàn)。頻率綜合器是射頻接收機(jī)中的一個(gè)關(guān)鍵模塊,其作用是為無線接收機(jī)中頻率轉(zhuǎn)換提供所需的參考頻率。
   具體的研究內(nèi)容如下:
   1.介紹頻率綜合器的基本原理以及性能指標(biāo)。
   2.提出了一種快速頻率自校準(zhǔn)的技術(shù),這種自校準(zhǔn)技術(shù)同傳統(tǒng)的自校準(zhǔn)方法相比,可以大大減少頻率自校準(zhǔn)所需的時(shí)間。
   3.提出了一種基于流水線的多級噪聲整形的Δ∑調(diào)制器模型應(yīng)用于具有小數(shù)分頻的頻率合器中。

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