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文檔簡介
1、CuInSe2類薄膜太陽能電池的光吸收系數(shù)可達105，是具有直接禁帶的化合物半導(dǎo)體。Cu(In1-xAlx)Se2薄膜太陽能電池通過摻雜Al元素，不僅可以獲得更寬的吸收層禁帶寬度，而且由于替代In元素降低太陽能電池成本，因此其光電轉(zhuǎn)換效率受到關(guān)注；透明導(dǎo)電層ZnO：Al(AZO)薄膜材料具有高電導(dǎo)率，可見光范圍高透過率等良好的光電特性，已廣泛應(yīng)用在太陽能電池方面。與ITO薄膜材料相比，它具有成本低廉、無毒以及較好穩(wěn)定性等優(yōu)點，成為ITO
2、薄膜潛在的替代材料，并且多種工藝可以用來制備透明導(dǎo)電層AZO薄膜。
本論文通過脈沖濺射工藝制備AZO薄膜和CIA金屬預(yù)制層，再利用固態(tài)Se源對預(yù)制層硒化制備出CIAS吸收層薄膜。利用不同的制備工藝參數(shù)，通過SEM、XRD、EDS等檢測手段分析了薄膜質(zhì)量、光學(xué)電學(xué)等特性以及硒化工藝對薄膜品質(zhì)的影響，分別得到Al含量為0.31、0.45的CIAS薄膜樣品，其禁帶寬度分別為1.44eV和1.65eV，且沿(112)晶相方向擇優(yōu)生
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