二氧化鈦納米管及其復合結構的電沉積制備研究.pdf

1、二氧化鈦(TiO2)是一種重要的寬禁帶半導體材料，在光解水制氫、光催化降解有機物、染料敏化太陽能電池(DSSC)等方面有著廣闊的應用前景。與TiO2薄膜相比，TiO2納米管陣列具有比表面積大，取向性好等特點，此類納米結構有望提高TiO2的性能。而TiO2納米管的復合結構(如核殼結構等)除了具有TiO2納米結構的性能之外還可能兼具新的功能特性。因此對TiO2納米管及其復合結構的制備和應用進行深入研究具有重要意義。
　　 本文采用電

2、沉積的方法，以多孔氧化鋁(AAO)為模板，通過一步或者兩步電沉積制備TiO2納米管及其各種復合結構，研究了它們的生長機制和在DSSC方面的應用。主要內容如下：
　　 1.電沉積制備TiO2納米管
　　 以AAO為模板，在含有TiF4的電解液中，通過電沉積的方法可以制備管壁均一的TiO2納米管。納米管外徑和長度可以通過AAO模板的孔徑和厚度來控制，納米管壁厚可以通過改變沉積時間或者TiF4濃度來控制。在負電位作用下，TiO

3、2會在整個AAO模板孔洞內壁上快速同步沉積，只需5分鐘就可以得到長度等于模板孔洞長度的完整納米管(約60μm)。與陽極氧化得到的TiO2納米管相比，用電沉積制備的TiO2納米管頂端是開口的，而且底部與背面的Au膜直接相連，這種結構與AAO模板非常類似，因此可以直接作為模板用來沉積其它材料得到TiO2納米管復合結構。
　　 2.利用TiO2納米管為模板制備各種復合結構
　　 用電沉積得到的TiO2納米管為模板，通過二次電沉

4、積可以把各種金屬沉積到TiO2納米管中形成核殼結構。通過SEM觀察我們發(fā)現(xiàn)用這種兩步電沉積法制備的TiO2納米管核殼結構填充率很高(接近100％)，長度山金屬的沉積時間宋決定，最長可以達到AAO模板的厚度(約60μm)。改變沉積條件還可以得到金屬/TiO2的雙壁納米管結構。通過比較AAO為模板和TiO2納米管為模板得到的產物，我們發(fā)現(xiàn)在同樣的沉積條件下，各種金屬在這兩個模板中的沉積是類似的，說明這種兩步電沉積法是一個通用的制備TiO2納

5、米管復合結構的方法。其它可以用電沉積方法在AAO模板中形成納米管或者納米棒的材料也可以沉積到TiO2納米管中形成各種復合結構。因此這種制備TiO2復合結構的方法是一種通用的方法。
　　 3.一步法制備TiO2納米管的復合結構及其生長機制的研究
　　 在含有TiF4和NiCl2的電解液中，用一步電沉積也可以得到Ni/TiO2的核殼結構，其中TiO2的壁厚和核殼結構的長度(既連續(xù)Ni納米棒長度)可以分別通過改變電解液中TiF

6、4的濃度和沉積時間來控制。提高沉積電位還可以得到非連續(xù)的Ni納米顆粒鏈填充到TiO2納米管中的復合結構。我們認為這兩種復合結構的生長機制是：在沉積過程中TiF4水解形成TiO2是一個快速的過程，當Ni離子還原形成金屬Ni時，TiO2納米管已經(jīng)形成，因此Ni可以沉積在TiO2納米管中，這是形成復合結構的基礎；同時當TiO2納米管中產生的H2來不及擴散時會形成氣泡，Ni就會在TiO2納米管中形成非連續(xù)的納米顆粒鏈，而當H2能及時從納米管中擴