硫化鋅、硫化鎘包覆的摻雜硫化鋅納米顆粒的制備與光學性質(zhì)研究.pdf

1、摻雜的納米半導體發(fā)光材料在信息顯示技術(shù)和光電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，納米粒子具有非常大的比表面積，存在許多表面態(tài)，表面態(tài)對發(fā)光起猝滅作用，因此表面態(tài)的研究和控制是非常關(guān)鍵的課題。本工作用CdS和ZnS對摻雜的ZnS納米顆粒q行了表面修飾；研究了ZnS、CdS包覆層和摻雜濃度對發(fā)光性質(zhì)的影響；探討了核殼結(jié)構(gòu)摻雜ZnS納米顆粒的發(fā)光機理。目的在于用簡單的方法獲得高效率的納米發(fā)光材料，了解摻雜納米材料的發(fā)光過程和表面態(tài)對能量傳遞的影響，為設(shè)

2、計高效、高亮度的納米發(fā)光材料提供依據(jù)和參考。本文的主要內(nèi)容與結(jié)果如下： 1，采用微乳液法制備了ZnS：Cu和ZnS：Mn納米顆粒；用ZnS和CdS對ZnS：Cu和ZnS：Mn納米顆粒進行了表面包覆。 2，通過XRD和UV研究了所制得的納米顆粒的結(jié)構(gòu)，證實ZnS和CdS包覆到了ZnS：Cu和ZnS：Mn的表面，形成了核殼結(jié)構(gòu)的ZnS：Cu/CdS和ZnS：Mn/CdS納米顆粒；分別通過XRD和UV估算了納米微粒的粒徑，兩者

3、結(jié)果基本一致。 3，根據(jù)核殼納米微粒殼層厚度計算的假設(shè)模型，實現(xiàn)了對殼層的半定量研究；分析了ZnS包覆層和CdS殼層厚度對發(fā)光性質(zhì)的影響；發(fā)現(xiàn)適當?shù)腪nS和CdS包覆層都能很好地修飾ZnS：Mn和ZnS：Cu納米微粒，最大能使主發(fā)射峰強度增強10倍。 4，建立了核殼結(jié)構(gòu)的ZnS：Mn/CdS和ZnS：Cu/CdS納米微粒的發(fā)光機理；實現(xiàn)了對ZnS：Cu/CdS納米微粒主發(fā)光峰波長的調(diào)制。 5，在ZnS中成功地摻入