Bi-Te基材料的微觀結(jié)構(gòu)與能帶的理論研究.pdf

1、本文采用基于密度泛函理論的第一性原理全勢能線性綴加平面波方法(FLAPW)，考慮自旋軌道耦合效應(yīng)，對Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物的電子特性進行理論研究。計算結(jié)果表明：自旋軌道耦合效應(yīng)對體系費米能級附近能帶結(jié)構(gòu)的影響很大；Bi2Te3、Bi2Te2Se、Bi2Se2Te、Bi2Se3均為間接帶隙窄帶半導(dǎo)體；體系費米能級附近的電子態(tài)密度主要來源于各原子p態(tài)電子貢獻；層間原子成鍵，X(1)-Bi鍵比X(2)-Bi鍵(X=Te，S

2、e)的共價鍵成份較強；隨著體系中Se原子摩爾比的增加，Te(1)-Bi鍵、Se(2)-Bi鍵、Se(1)-Bi鍵的共價鍵成份逐漸增強。同時利用密度泛函理論在B3LYP/LANLADZ水平上對BinTem(n+m=3，5)小團簇的幾何構(gòu)型和穩(wěn)定性進行了系統(tǒng)的研究，計算結(jié)果表明：團簇的穩(wěn)定性Bi4Te＞Bi2Te3＞Bi3Te2＞BiTe4，化學活性Bi2Te3＞Bi4Te＞Bi3Te2＞BiTe4，且Bi2Te3小團簇的基態(tài)結(jié)構(gòu)與Bi2T