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文檔簡介
1、一維納米材料由于具有非常優(yōu)越的電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性從而引起了人們的廣泛關(guān)注。作為現(xiàn)代微電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的硅材料，其納米線陣列及其化合物納米線陣列的制備和性能研究引起了科學(xué)界極大的興趣。盡管人們對硅及硅化物納米線進(jìn)行了很多探索，但納米線的生長機理及其應(yīng)用還需要更深入的研究。
本論文在綜述國內(nèi)外對硅及硅化物納米材料的制備、性能研究和應(yīng)用的基礎(chǔ)上，利用化學(xué)氣相沉積法成功制備了單晶硅納米線陣列及鎳硅納米線陣列，并研究了這些納米線陣列在鋰
2、離子電池上的應(yīng)用，取得了以下的創(chuàng)新成果。
(1)采用化學(xué)氣相沉積法成功制備陣列化的硅納米線，并研究了襯底溫度、硅烷濃度、生長時間對硅納米線形貌的影響。依據(jù)實驗結(jié)果解釋了硅納米線的生長機理。最后將陣列化的硅納米線應(yīng)用在鋰離子電池中，經(jīng)過15個循環(huán)之后，可逆容量仍然高達(dá)3600mAhg-1，顯示優(yōu)良的循環(huán)性能。
(2)在泡沫鎳襯底上采用化學(xué)氣相沉積法成功制備了陣列化的Ni2Si納米線，并研究了襯底溫度、硅烷濃度、
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