應(yīng)用螺旋型分壓器的硅漂移室探測(cè)器電學(xué)特性仿真.pdf

1、硅漂移室探測(cè)器，基于側(cè)向耗盡原理，由E. Gatti和P.Rehak兩位科學(xué)家在1983年首先提出來(lái)的。首先只是把它作為二維位置靈敏的探測(cè)器提出的。后來(lái)，把它應(yīng)用到了高分辨 X射線光譜學(xué)中，發(fā)現(xiàn)這種探測(cè)器的位置分辨力和能量靈敏度都非常高，因此，它逐漸的取代了傳統(tǒng)的Si-PIN類探測(cè)器，在X光譜儀中被廣泛的應(yīng)用，在航空航天、宇宙探索方面的應(yīng)用也越來(lái)越重要，取得的成就也越來(lái)越多。
　　硅漂移室探測(cè)器，基于平面工藝技術(shù)，由于只有一個(gè)陽(yáng)極

2、在探測(cè)器上表面的中心，而且陽(yáng)極的面積可以非常小，整個(gè)探測(cè)器的靈敏區(qū)體積比較大，電容小，靈敏度高，能量分辨率好，還有二維位置分辨能力。因?yàn)橛羞@些特點(diǎn)，自提出來(lái)以后，有許許多多的科學(xué)家投入到硅漂移室探測(cè)器的研究中去，后來(lái)硅漂移探測(cè)器主要形成了兩大分支：線性幾何形狀的硅漂移室探測(cè)器和圓形的硅漂移室探測(cè)器。這篇文章中所研究的應(yīng)用螺旋形分壓器的硅漂移室探測(cè)器屬于圓形的硅漂移室探測(cè)器。根據(jù)形狀的不同，應(yīng)用螺旋形分壓器的硅漂移室探測(cè)器可以分為四棱柱形

3、的、六棱柱形的和圓柱形的。
　　本文是以四棱柱形的應(yīng)用螺旋形分壓器的硅漂移室探測(cè)器為主要研究對(duì)象，借助半導(dǎo)體器件仿真軟件Sentaurus TCAD對(duì)它和傳統(tǒng)的螺旋型硅漂移室探測(cè)器進(jìn)行電學(xué)特性仿真，并對(duì)比了它們的電學(xué)特性，得出了在能夠保持較好的性能的基礎(chǔ)上還能解決傳統(tǒng)螺旋型硅漂移室不能做成大陣列的局限性問(wèn)題。我們所做的是對(duì)應(yīng)用螺旋形分壓器的硅漂移室探測(cè)器進(jìn)行三維器件仿真。這樣的結(jié)構(gòu)在2014年才被提出了，主要是對(duì)它進(jìn)行理論研究，還