WSN節(jié)點(diǎn)射頻芯片中基于CMOS工藝的LDO設(shè)計(jì).pdf

1、隨著信息時(shí)代的來(lái)臨，無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)(WSN,Wireless Sensor Network)因?yàn)槠渚薮蟮膽?yīng)用前景而受到學(xué)術(shù)界和工業(yè)界廣泛的重視，被認(rèn)為是二十一世紀(jì)產(chǎn)生巨大影響力的技術(shù)之一。射頻前端模塊作為無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的重要組成部分，具有較高的研究?jī)r(jià)值。對(duì)應(yīng)用于射頻前端中的穩(wěn)壓電源電路的研究同樣具有一定的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。在眾多的電源管理技術(shù)中，LDO(Low Dropout Voltage Regulator)因?yàn)槠湫∶娣e、高電源抑制比、

2、微功耗、低噪聲以及外圍電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，倍受人們關(guān)注。此外，LDO還具有較好的線性瞬態(tài)響應(yīng)和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性。因此，LDO線性穩(wěn)壓器是一種比較好的選擇。
　　 本論文首先對(duì)LDO線性穩(wěn)壓器進(jìn)行概述和分類，系統(tǒng)介紹LDO的組成和工作原理，對(duì)LDO線性穩(wěn)壓器的性能影響因素進(jìn)行了詳細(xì)的分析。LDO電路采用0.18um CMOS工藝流片。在介紹LDO原理及主要設(shè)計(jì)指標(biāo)的基礎(chǔ)上，詳細(xì)論述了基于0.18um CMOS工藝的LDO電路設(shè)計(jì)，包括

3、帶隙基準(zhǔn)電路、誤差放大器及LDO的補(bǔ)償電路、功率管等部分。其中，針對(duì)帶隙基準(zhǔn)源的啟動(dòng)問(wèn)題和LDO的穩(wěn)定性作了重點(diǎn)研究，并給出合理的解決方案。文中給出了電路前仿真結(jié)果與分析、版圖設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)和后仿真結(jié)果與分析。后仿真結(jié)果表明：電源電壓2.1V到3.6V的變化范圍內(nèi)，輸出電壓穩(wěn)定在1.800V;溫度從-40℃變化到85℃時(shí)，溫度系數(shù)為5.6ppm/℃；電源抑制比能達(dá)到60dB。滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。
　　 論文最后給出了LDO電路芯片的測(cè)