NOR閃存讀出不穩(wěn)定性問題的研究與解決.pdf

1、一顆芯片的誕生，經(jīng)歷了設(shè)計、制造、封裝和測試等諸多環(huán)節(jié)。測試處于整個流程鏈的后端，是指對封裝好的半導(dǎo)體產(chǎn)品進行各種性能測試和篩選，檢驗產(chǎn)品是否符合性能標(biāo)準(zhǔn)，從而剔除不合格品的過程。伴隨集成電路集成度和復(fù)雜度提高，測試也越來越困難，測試成本也節(jié)節(jié)上升，新近統(tǒng)計，測試成本已經(jīng)占到了半導(dǎo)體器件整體成本的1/3。保證一個穩(wěn)定而可靠的測試過程對于保證半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量非常重要，同時更有利于減少重測的幾率，控制測試成本。
　　 本文對NOR閃

2、存測試輸出不穩(wěn)定性現(xiàn)象的成因和解決方法進行了研究。在排除測試機臺和測試硬件影響的前提下，對于測試程序進行分析，根據(jù)實驗結(jié)果，發(fā)現(xiàn)輸出管腳的外加負載影響著測試的穩(wěn)定性。研究輸出管腳的外加負載的的類型及其影響。分別分析四種負載包括電容負載、復(fù)合負載、電流負載和終端電壓負載。電容負載和復(fù)合負載是系統(tǒng)及產(chǎn)品的物理屬性范圍，無法避免，只能通過設(shè)置保護帶(Guardband)連接匹配負載來抵消，據(jù)測量測試機臺會產(chǎn)生～100pF的電容負載，而產(chǎn)品的輸