基于氣體壓縮式施壓的納米壓印研究.pdf

1、隨著大規(guī)模集成電路的推進和發(fā)展，集成度要求越來越高，特征尺寸急劇減小。伴隨著特征尺寸不斷減小的要求，傳統(tǒng)光學光刻的分辨率受到了短波光源的選擇、光的衍射、光刻膠表面的散射、光線內的干涉、以及基板襯底的反射等效應的影響，達不到更高的分辨率要求，這些光學效應成為了傳統(tǒng)光刻技術在更小特征尺寸制程中進一步應用的技術障礙，傳統(tǒng)光刻工藝已經達到其技術極限，下一代更高分辨率光刻技術的提出和研發(fā)迫在眉睫。納米壓印技術應運而生，自提出發(fā)展至今，因其工藝簡單

2、、分辨率高、保真度好、成本低廉、產量高等優(yōu)勢受到關注和推崇，并于2003年被國際半導體藍圖收錄，作為實現(xiàn)32nm節(jié)點的下一代備選支撐光刻技術之一，目前技術最高分辨率達到5nm。
　　 納米壓印領域的研究工作和發(fā)展主要集中在其技術本身的不斷完善和基于納米壓印技術的應用創(chuàng)新。首先介紹了納米壓印的三大主流工藝，然后介紹了在傳統(tǒng)納米壓印技術基礎上衍生而來的各種新穎的變種技術，并對各個工藝的模板選擇、施壓方式、工藝優(yōu)缺點等進行分析。

3、>　　 在已有氣體輔助施壓方式的基礎上提出基于氣體壓縮式施壓的壓印方案，通過有限元軟件ComsolMultiphysics分別對氣體緩沖施壓(AirCushionPress，ACP)和氣體壓縮式施壓(CompressionalGasCushionPress，CGCP)方式進行數(shù)值仿真分析，證明氣體壓縮式施壓與氣體緩沖施壓相比在整個施壓過程中具有更加均勻的壓強分布，可以充分滿足圖案復制的分辨率和保真度要求，并能有效地避免氣體緩沖施壓初期

4、充氣階段氣流擾動對模板的損壞，有利于延長模板的壽命。由于氣體壓縮式施壓系統(tǒng)的施壓環(huán)境為空氣，為避免在施壓階段轉移層中產生氣泡缺陷，提出簡易的防護措施——模板凸出環(huán)設計，通過對流體轉移層的力學分析和討論，證明在滿足一定參數(shù)要求具有有效寬度的凸出環(huán)能夠充分抵抗氣泡的誘捕，避免造成氣泡缺陷。在納米壓印流程中，脫模階段脫模力的均勻性同樣重要，其關系著抗蝕劑層中復制圖案的完整性和保真度。提出一種新穎的基于氣浮滑塊和導軌的無摩擦靜電斥力分離模板和基