大功率晶閘管通態(tài)特性研究.pdf

1、電力半導(dǎo)體元件隨著電力電子技術(shù)發(fā)展的需要，不斷改進(jìn)、革新，從SCR、GTO、功率MOSFET、IGBT、MCT到HVIC等；各種元件適合著一定的應(yīng)用領(lǐng)域的需要，性能在不斷的提高和改善；晶閘管也不斷的向更大功率發(fā)展，在整流領(lǐng)域發(fā)揮自己的作用。 在向市場(chǎng)提供大功率晶閘管元件以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)的過(guò)程中，元件參數(shù)的一致性對(duì)許多實(shí)際應(yīng)用至關(guān)重要，特別是通態(tài)特性的一致性，通態(tài)特性主要表現(xiàn)為通態(tài)電壓。本文在p-i-n二極管模型的基礎(chǔ)理論上，推導(dǎo)

2、元件體壓降、結(jié)壓降和接觸壓降的相關(guān)理論以及計(jì)算公式，并分析影響通態(tài)電壓的主要因素：注入大小、少子壽命、基區(qū)厚度以及電流密度等。 本文主要在元件長(zhǎng)基區(qū)厚度和少子壽命的比值變化范圍下，分析電導(dǎo)調(diào)制效果對(duì)元件通態(tài)電壓的影響。大注入條件下，載流子散射作用的增強(qiáng)導(dǎo)致體壓降的增加。少子壽命的增加，體壓降會(huì)降低，但是要綜合考慮其他參數(shù)；對(duì)于快速元件，少子壽命對(duì)通態(tài)壓降和關(guān)斷時(shí)間的正反影響更要協(xié)調(diào)考慮。基區(qū)厚度增加會(huì)增加通態(tài)壓降，在保證耐壓的前