非晶硅太陽能電池的透明導電層和本征非晶硅層的研究.pdf

1、隨著能源危機和環(huán)境問題的日益加劇，尋找合適的新能源成為國際上關注和研究的焦點。太陽能作為清潔可再生能源備受青睞，經過多年發(fā)展太陽能電池材料也得到充分的研究。非晶硅薄膜太陽能電池比傳統(tǒng)的硅太陽能電池更為環(huán)保，將會占據(jù)重要地位。本文主要研究非晶硅太陽能電池中透明導電層和本征非晶硅層的制備和性能。
　　 透明導電層方面采用超聲噴霧法制備摻氟氧化錫(Fluorine doped tin oxide，F(xiàn)TO)薄膜。研究了溶液組分、襯底溫度

2、、噴霧時間等沉積條件對其光學和電學特性的影響，獲得高透光率和低方塊電阻的符合非晶硅太陽能電池所需透明導電薄膜。由實驗結果得出：優(yōu)化的襯底溫度為450℃，優(yōu)化的噴霧時間為2分鐘，優(yōu)化的F摻雜率為1.2，優(yōu)化的草酸摻雜量為12mmol/L。得到的最優(yōu)樣品的方塊電阻為27Ω/□，透光率為76％。
　　 本征非晶硅層使用磁控濺射的方法制備，通過對比單晶硅靶和多晶硅靶材制備的非晶硅薄膜，對其霍爾遷移率、光學帶隙、X射線衍射(XRD)、拉曼