SiC外延生長加熱系統(tǒng)熱場分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、化學(xué)氣相沉積(CVD)是目前生長SiC外延片的主要方法，而在SiC材料的生長過程中，反應(yīng)室溫度是影響SiC生長質(zhì)量和速度的主要因素之一。用于外延生長的LPCVD設(shè)備中采用了感應(yīng)加熱的方式。由于反應(yīng)室內(nèi)的傳熱條件基本保持不變，因此，反應(yīng)室內(nèi)的線圈參數(shù)和基座厚度就很大程度上決定了溫度場的分布。
　　 本文通過建立水平熱壁LPCVD的二維模型，采用有限元分析方法，應(yīng)用模擬軟件ANSYS，重點對影響反應(yīng)室內(nèi)溫度場分布的線圈匝數(shù)、線圈直徑

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