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文檔簡介
1、本文主要是對晶閘管控制電抗器(TCR)型靜止無功補償器(SVC)的閥基電子(VBE)和晶閘管高電位(TE)控制系統(tǒng)研制的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行了詳細(xì)論述。閥基電子(VBE)控制系統(tǒng)部分包括了光電觸發(fā)、光電監(jiān)測兩部分,光電觸發(fā)負(fù)責(zé)觸發(fā)晶閘管閥導(dǎo)通,并接收SVC監(jiān)控系統(tǒng)下發(fā)的觸發(fā)、閉鎖等信號,對VBE系統(tǒng)中出現(xiàn)的故障上報給SVC監(jiān)控系統(tǒng),同時,光電觸發(fā)還包括了電光信號轉(zhuǎn)換的功能。光電監(jiān)測主要是接收晶閘管閥的狀態(tài)信息以及BOD回報信息,并傳送給SVC監(jiān)
2、控系統(tǒng),且光電監(jiān)測也要接收來自監(jiān)控系統(tǒng)的下發(fā)定值等命令要求,此部分包括了光電信號轉(zhuǎn)換的功能。晶閘管高電位(TE)控制系統(tǒng)的研發(fā),主要是實現(xiàn)了TE控制系統(tǒng)的閥電壓檢測、電平檢測以及觸發(fā)脈沖序列檢測的技術(shù),以及單塊TE控制系統(tǒng)同時觸發(fā)兩塊共陰極晶閘管的功能,完成BOD后備保護(hù)的功能,實現(xiàn)晶閘管閥狀態(tài)監(jiān)測的功能,還有與閥基電子(VBE)光纖通訊的技術(shù)。對于上述的研發(fā)內(nèi)容分別加以試驗測試,確認(rèn)無誤后進(jìn)行聯(lián)調(diào),并最終應(yīng)用至實際工程中,檢測其功能效
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