非揮發(fā)性存儲器的物理機制和TCAD模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體集成電路制造業(yè)在中國的迅猛發(fā)展，為了降低研發(fā)成本和提高集成電路的成品率，各大公司越來越需要有專業(yè)的模擬工具對半導體器件結構和陣列進行準確的性能評估，并在性能評估的基礎上再對器件結構進行相關的參數(shù)優(yōu)化和整體折中，目前半導體工藝與器件模擬即TCAD工具已經在半導體電路制造業(yè)中發(fā)揮著越來越重要的作用。本文專注于半導體器件中的存儲器件，而目前流行的存儲器件都是在金屬-氧化層-半導體-場效晶體管(MOSFET)的基礎上改造而成的。閃存(

2、Flash Memory)是非揮發(fā)性存儲器(Non-Volatile Memory)的典型代表，本文將以閃存為基礎來介紹非揮發(fā)性存儲器的概念、應用和實現(xiàn)非揮發(fā)行的物理機制，討論存儲器中各種重要的微觀物理現(xiàn)象和導致存儲性能退化的可能因素。本文解釋了三種非揮發(fā)功能的實現(xiàn)方式：浮柵存儲器(Floating Gate)，硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存儲器和納米晶存儲器(Nano-Crystal Memory)，并比較了三種結構的

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