2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,隨著分子束外延技術(shù)(MBE)和納機(jī)電系統(tǒng)加工技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用,各種新型的超晶格量子阱器件被加工出來。由于尺寸變小而產(chǎn)生包含量子效應(yīng)的各種效應(yīng)就會凸顯出來,基于這些效應(yīng)的納機(jī)電器件就會體現(xiàn)出新的特征和性能。本文在介觀壓阻效應(yīng)的基礎(chǔ)上,介紹了一種新的傳感器,即單勢壘量子阱電容電抗器,并通過對此單勢壘量子阱結(jié)構(gòu)加一定的應(yīng)力,來改變材料的能帶、參數(shù)和物理特性,最終達(dá)到提高電容電抗器的靈敏度和電容調(diào)制比的目的,高的電容調(diào)制比意味著高的器件

2、工作頻率。
  本文詳細(xì)介紹了當(dāng)一束電子波從發(fā)射極發(fā)射到集電極時電子波的傳輸過程,其中,發(fā)射極和集電極之間是由InGaAs/AlAs/InAlAs材料組成的單勢壘量子阱結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上推導(dǎo)出了反射系數(shù)和透射系數(shù),并由此推出了傳導(dǎo)電流的公式,介紹了傳導(dǎo)電流減小的方法。在介觀壓阻效應(yīng)的基礎(chǔ)上,利用Matlab軟件,模擬了電容電抗器的電容的變化,最終使電容電抗器的調(diào)制比得到了提高。
  主要研究內(nèi)容如下:
 ?。?)對超晶格

3、量子阱材料進(jìn)行了分析,并在此基礎(chǔ)上,介紹了Ⅲ-Ⅴ族元素,選擇合適的勢壘材料,并列出了勢壘結(jié)構(gòu)。
 ?。?)結(jié)合本論文的要點(diǎn)對單勢壘量子阱電容電抗二極管的電子波的傳輸和能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了描述;
 ?。?)介紹了單勢壘量子阱電容電抗器中傳導(dǎo)電流減小的方法。
 ?。?)通過對單勢壘結(jié)構(gòu)在大偏壓和小偏壓下兩種情況的分析,推導(dǎo)出在大偏壓下和小偏壓下的電容的表達(dá)式。較為詳細(xì)的介紹了單勢壘結(jié)構(gòu)加一定應(yīng)變時電容的變化情況,推導(dǎo)出了電容電抗

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