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文檔簡介
1、我國微波通訊業(yè)的飛速發(fā)展,極大地促進(jìn)了微波介質(zhì)陶瓷材料及其器件的研究。微波介質(zhì)器件的小型化和高度的集成化成為了通信器件發(fā)展的必然,陶瓷塊狀材料的尺寸最少也需要λ/4,遠(yuǎn)不能滿足小型化和集成化的要求,因此,微波介質(zhì)陶瓷薄膜應(yīng)運(yùn)而生。微波介質(zhì)陶瓷薄膜是指應(yīng)用于微波頻段電路中作為介質(zhì)材料,并完成一種或多種功能的陶瓷薄膜,是現(xiàn)代通訊中廣泛使用的諧振器,濾波器,介質(zhì)基片等微波元器件的關(guān)鍵材料。高的介電常數(shù),近零的頻率溫度系數(shù),以及低于塊狀材料的結(jié)
2、晶溫度,使得對于微波介質(zhì)陶瓷薄膜的研究在國內(nèi)外廣泛興起。
微波介質(zhì)陶瓷(Ba0.3Sr0.7)(Zn1/3Nb2/3)O3的A位二價Sr2+離子取代固溶,形成(Ba0.3Sr0.7)(Zn1/3Nb2/3)O3型微波介質(zhì)陶瓷材料具有優(yōu)異的介電特性。其中介質(zhì)損耗是0.69×10-4(1MHz);容量溫度系數(shù)為-2.1×10-6/℃;在微波頻率下(3.842GHz)測得的Q為3365。(Ba0.3Sr0.7)(Zn1/3Nb2/3
3、)O3微波介質(zhì)陶瓷在微波下具有優(yōu)異的介質(zhì)特性,可以廣泛應(yīng)用于厘米,毫米波段,使用在雷達(dá),導(dǎo)航,微波通信,衛(wèi)星通訊等設(shè)施上。
。我們課題組已經(jīng)采用磁控濺射技術(shù),利用化學(xué)計量比的(Ba0.3Sr0.7)(Zn1/3Nb2/3)O3為靶材,制備薄膜。但是這種薄膜存在著很多的不足,例如,結(jié)晶程度低,薄膜不夠致密,氧空位較多,以及與靶材成分偏離程度大等問題。在本論文中,我們調(diào)整了靶材的成分,在化學(xué)計量比(Ba0.3Sr0.7)(Zn1/
4、3Nb2/3)O3靶材的基礎(chǔ)上,另外添加1摩爾的ZnO用以補(bǔ)償濺射和退火過程中Zn的揮發(fā)。
本論文的研究主要包括兩方面內(nèi)容,首先我們利用射頻磁控濺射技術(shù)和熱退火技術(shù),采用添加了1mol ZnO的(Ba0.3Sr0.7)(Zn1/3Nb2/3)O3為靶材在單晶SiO2(110)襯底上制備(Ba0.3Sr0.7)(Zn1/3Nb2/3)O3薄膜,研究了氧氬比,基片溫度,退火溫度,退火時間對薄膜的影響,同時利用X射線衍射(XRD),
5、X射線光電子能譜(XPS)分析,以及掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)為測試手段,對薄膜結(jié)構(gòu)、成分和形貌進(jìn)行了分析與表征。
(1)對制備的BaO-SrO-ZnO-Nb2O5薄膜結(jié)構(gòu)樣品我們進(jìn)行了以電子顯微技術(shù)為主的測試與表征,主要包括掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)。還有可以半定量分析元素含量比的X射線光電子能譜(XPS)分
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