版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,要制造更復(fù)雜的高頻大功率器件,就需要減小集電極串聯(lián)電阻,降低導(dǎo)通壓降與功耗等因素的影響,因此對芯片基層的要求越來越嚴(yán)格,外延片是比原始硅片更均勻、表面更完美、具有一定電學(xué)特性的的芯片襯底。因此外延層在實(shí)際生產(chǎn)中的地位也就越發(fā)重要。在實(shí)際生產(chǎn)中不僅需要對工藝中各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行精確控制,也需要不斷對外延層設(shè)備和工藝的進(jìn)行更新。如何通過控制各項(xiàng)參數(shù),得到高品質(zhì)的外延層成為生產(chǎn)中極為重要的研究課題。為了使外延層生產(chǎn)中在可控的范圍
2、下得到符合要求的外延片,論文主要對外延層的作用、性能、工藝過程和工藝中氣流、溫度、壓力等參數(shù)對實(shí)際生產(chǎn)中外延層的厚度、均勻度、層錯(cuò)、缺陷、參雜等因素的影響,以及對外延層設(shè)備進(jìn)行了研究和分析。從而使我們在可控的情況下制造出更高質(zhì)量的外延層。本文運(yùn)用了文獻(xiàn)資料分析法、歷史研究方法、理論和實(shí)際相結(jié)合方法三種分析方法對外延層生長進(jìn)行了研究。主要講述了外延層的相關(guān)信息,包括外延層在半導(dǎo)體中的地位和作用,外延層工藝介紹,外延層設(shè)備和外延層在實(shí)際生產(chǎn)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- GaN基紫外LED的p層外延工藝優(yōu)化.pdf
- 硅外延裝備工藝控制軟件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 外延技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用.pdf
- 緩沖層外延生長及其與超導(dǎo)層的相互影響機(jī)制研究.pdf
- 藍(lán)寶石襯底與GaN外延層中缺陷與雜質(zhì)的研究.pdf
- 多變量控制圖的理論分析與實(shí)際應(yīng)用.pdf
- 低溫GaN成核層MOCVD生長工藝對GaN外延薄膜影響的研究.pdf
- 實(shí)際應(yīng)用中電氣控制與保護(hù)淺談
- Si襯底GaN外延層的MOCVD生長研究.pdf
- 高能電子輻照GaN外延層的性能研究.pdf
- 鋼筋-瀝青復(fù)合隔震層實(shí)際應(yīng)用研究.pdf
- 智能照明控制系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用
- 費(fèi)用報(bào)銷與預(yù)算控制在實(shí)際中的應(yīng)用
- 摻雜外延層中雜質(zhì)濃度分布的計(jì)算.pdf
- 《機(jī)器人控制的實(shí)際應(yīng)用》思考題與習(xí)題
- 化學(xué)復(fù)合鍍技術(shù)在硅基外延層轉(zhuǎn)移中的初步應(yīng)用研究.pdf
- 淺談工程造價(jià)控制管理的實(shí)際應(yīng)用
- 用于HBT的鍺硅外延工藝優(yōu)化.pdf
- 淺談工程造價(jià)控制管理的實(shí)際應(yīng)用
- 鋼筋―瀝青復(fù)合隔震層實(shí)際工程應(yīng)用研究
評論
0/150
提交評論