片式鉭電容器浪涌電流失效研究.pdf

1、二氧化錳陰極片式鉭電容器因其體積小、容量大、漏電流小、溫度和頻率特性好、可靠性高、壽命長等優(yōu)點在電子裝備中一直有著廣泛的應(yīng)用。然而，隨著片式固體鉭電容器在高頻、低阻抗電路中的廣泛應(yīng)用，二氧化錳陰極片式鉭電容器特有的一種失效模式——浪涌電流失效模式成了困擾制造商和用戶的一個問題，是制約其在高可靠領(lǐng)域應(yīng)用的一大障礙。
　　目前為止，國內(nèi)針對片式鉭電容器浪涌電流失效進(jìn)行專題研究的公開文獻(xiàn)報道較少，從事類似產(chǎn)品研發(fā)的單位也不多，因而該研究

2、領(lǐng)域在國內(nèi)仍處起步階段。但是，國外對片式鉭電容器浪涌電流失效的研究報道較多，關(guān)于其失效機(jī)理已經(jīng)出現(xiàn)了多種流派，大概分為4種類型，即(1) KEMET公司提出的“閃火擊穿理論”；(2) NASA提出的“電壓振蕩理論”；(3)AVX公司提出的“局部熱擊穿理論”；(4) KEMET公司提出的“機(jī)械應(yīng)力理論”。
　　本文參考國外的公開報道，基于片式鉭電容器浪涌電流失效機(jī)理的4種理論框架，從產(chǎn)品設(shè)計、制造工藝和使用性能等方面，對片式鉭電容器

3、的浪涌電流失效進(jìn)行了較全面和較系統(tǒng)的研究。本文分別在宏觀和微觀尺度上，分析和討論了導(dǎo)致片式鉭電容器浪涌電流失效的可能原因，得出浪涌電流失效是場致?lián)舸┒菬嶂聯(lián)舸?，鉭塊強(qiáng)度和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性是造成浪涌電流失效的主要內(nèi)在因素，而外部電場的高低及焊接溫度應(yīng)力則是導(dǎo)致浪涌電流失效的關(guān)鍵外部因素等結(jié)論。與此同時，論文還針對這些原因給出了采用橫向成型法、3次循環(huán)焊接、1.2倍額定電壓篩選等設(shè)計和篩選對策，以最大限度地降低浪涌電流失效比率。
　　論文