量子點半導體光放大器理論研究與InAs量子點工藝生長.pdf

1、由于量子點擁有獨特的δ態(tài)密度函數(shù)和三維強量子限制效應，以量子點為有源區(qū)的光電器件具有優(yōu)于傳統(tǒng)器件的性能。就半導體光放大器(SOA)而言，量子點SOA具有材料增益高、溫度性能好、啁啾低、響應速度快等優(yōu)越性能，從而在下一代全光網絡中具有廣泛的應用前景。
　　 然而由于目前工藝水平的限制，量子點的生長密度不夠高、量子點尺寸及位置分布隨機性大等因素導致量子點的性能優(yōu)勢并不能完全發(fā)揮，量子點SOA的一些指標還不如量子阱SOA 高。同時，由

2、于量子點中的壓應變與量子限制效應都有增強TE模式材料增益、壓抑TM模式材料增益的作用，量子點SOA中偏振相關性問題也很嚴重。本論文針對目前量子點SOA 發(fā)展中存在的問題，從理論和實驗兩方面對量子點SOA 進行研究。
　　 理論方面，應用張應變量子阱耦合量子點的結構改善量子點SOA的偏振相關特性。分析得到了載流子輸運方程及光場傳播方程，并通過Matlab 對其增益特性及偏振相關性進行了模擬分析。
　　 實驗方面，采用金屬有