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1、上海交通大學(xué)博士后學(xué)位論文納米材料及功能器件的計算機(jī)模擬與設(shè)計姓名:劉丕均申請學(xué)位級別:博士后專業(yè):@指導(dǎo)教師:張亞非20040201上海交通大學(xué)博士后研究報告AbstractBasedontheexperimentalresults,theanalyticmodelsandthecomputersimulations,thisreportprobedintothefollowingseveralsubjectsinnanometerr
2、esearchfields:1Thetheoreticalcalculationaboutthequantum—tunnelingphenomenonoflII—Vgroupcompoundsemiconductorquantumstructureshasbeencarriedout,thetunnelingcoefficientandresonancetunnelinglifetimerelatedtothetunnelingeffe
3、ctwereobtained2SpintronicsisanewdirectioninwhichthenanometerstructureshavebeenstudiedinthelastfewyearsByintroducingoneortwoferromagnetics訂ipswithperpendicularmagnetizationOilthetopofthetwo—dimensionalelectrongas(2DEG),th
4、us,theelectromagneticpotentialbarrierhasbeenformedundercertainbiasLotsofnovelhighspeeddevicescanbefabricatedbyutilizingthechargeandspinofelectronsinthenewstructurestogetherInthisfield,thesystematicaltheoreticalworksabout
5、thepropertiesofspinpolarizationmadfilteringinthenewstructureweremadeOurresultshaveimportantsignificanceindesigningandpredictingthenewperformance3Carbonnanotubeshaveattractedintensiveinterestsinlastdecadenlemanipulationof
6、theorderedarraysofcarbonnanotubeswasmade,andtheRamanintensitydependenceofthealigneddirectionofnanotubeshasbeendeducedandexpressedasanalyticalfunctionsThetheoreticalresultsareingoodagreementwithRamanspectra4In2001,ITRS(In
7、ternationalTechnologyRoadmapSemiconductors)predicatedthatthecharacteristicsizesofDRAMandASICwillbereducedto90nlTlin2004,theresearchonnanometersizedevices,therefore,hasveryrealisticmeaningsWehaveperformedcomputersimulatio
8、nonadoublegateMOSFETwhichisregardedtobethemostpossiblecandidateaStheMOSFETwiththeshortestchannelInoursimulationseveralmainstreanltransportmodelsindeepsub—micronsemiconductordevicewereused,andthequantumeriectwasalsoinclud
9、ed5ResearchonnanometeropticalfilmisahotspotinthedevelopmentofnanometerscienceandtechnologyThewoksofthisaSpecthaveextensiveapplicationinLCDandotheroptoeletronicdevicesWeputforwardanarithmetic,whichcanusethetransmissionorr
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