紫外磁光存儲CoCu納米顆粒膜的制備與研究.pdf

1、本文濺射得到了五種成分和四種退火溫度下的CoCu納米顆粒膜,首先對薄膜的微觀結(jié)構(gòu)進行了分析，發(fā)現(xiàn)CoCu薄膜易形成置換固溶體，且 Co，Cu原子在其中均勻分布；制備態(tài)CoCu薄膜傾向于形成fcc亞穩(wěn)結(jié)構(gòu)，增加薄膜Co含量或提高退火溫度均有利于薄膜發(fā)生fcc—hcp結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。退火增大了CoCu薄膜表面粗糙度，但300oC退火后粗糙度減小，這對于確定薄膜的退火工藝具有一定的參考價值；退火后薄膜粗糙度隨Co含量增加而增大，最大值對應Co含量

2、為63atm.％；CoCu薄膜表面粗糙度遠小于紫外光波長，可以滿足磁光存儲的要求。CoCu薄膜克爾轉(zhuǎn)角隨Co含量增加而增大。含Co47atm.％以上的CoCu薄膜短波波段克爾轉(zhuǎn)角峰值均大于0.15o，達到了商用要求；退火處理也可增強薄膜的磁光效應，Co含量較高的薄膜較高溫度下退火后析出了第二相粒子，形成類似多層膜結(jié)構(gòu)，層間耦合強化了克爾效應，使這些薄膜的克爾轉(zhuǎn)角甚至大于純Co薄膜；退火后CoCu薄膜的短波和長波克爾峰位隨Co含量的升高