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1、在本文中,用煅燒法合成了一系列含有不等量N-graphene的N-graphene/CdS復(fù)合光催化劑,并通過(guò)X射線(xiàn)衍射(XRD)、TEM、HRTEM、拉曼散射,N2吸收、紫外-可見(jiàn)吸收、X-電子能譜等手段對(duì)其進(jìn)行表征。本文對(duì)N-graphene/CdS光催化劑在可見(jiàn)光(λ≥ 420 nm)條件下光催化分解水制氫活性進(jìn)行了研究。研究結(jié)果表明N-graphene/CdS光催化劑的活性比單純CdS催化劑的活性高。光電流結(jié)果表明,N-grap
2、hene/CdS的光電流比CdS的光電流有很大的提高,說(shuō)明CdS上產(chǎn)生的光電子極易轉(zhuǎn)移到N-摻雜的石墨烯上,從而抑制了光生電子-空穴的復(fù)合進(jìn)而提高了催化劑的光催化分解水制氫的能力。在影響N-graphene/CdS復(fù)合光催化劑的催化活性上,N-graphene助催化劑的含量是主要影響因素,研究表明,N-graphene的質(zhì)量百分含量為2 %時(shí)復(fù)合催化劑的光催化活性最高。作為對(duì)照,Graphene/CdS和GO(氧化石墨烯)/CdS復(fù)合催
3、化劑用同樣的方法合成出來(lái),并對(duì)它們光催化分解水制氫活性進(jìn)行了研究。研究結(jié)果表明,這三種催化劑的光催化活性由高到低排序?yàn)椋篘-graphene/CdS>graphene/CdS>GO/CdS>CdS。此外,在催化反應(yīng)進(jìn)行了30小時(shí)后N-graphen/CdS復(fù)合催化劑光催化制氫活性沒(méi)有明顯的降低,這說(shuō)明了助催化劑N-graphene可以作為一個(gè)保護(hù)層來(lái)防止CdS催化劑的腐蝕。實(shí)驗(yàn)表明,用N摻雜的石墨烯修飾相應(yīng)的催化劑能有效提高其光分解水制
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