電池輔助式超高頻射頻標(biāo)簽芯片研究與設(shè)計(jì).pdf

1、射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)是一種利用電磁場(chǎng)的空間耦合原理實(shí)現(xiàn)中遠(yuǎn)距離信息傳輸?shù)淖詣?dòng)識(shí)別技術(shù)。隨著物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，射頻識(shí)別標(biāo)簽產(chǎn)生了集成更多擴(kuò)展傳感信號(hào)應(yīng)用的需求。傳統(tǒng)的無(wú)源射頻識(shí)別標(biāo)簽采用射頻場(chǎng)供電，標(biāo)簽的識(shí)讀距離受到標(biāo)簽內(nèi)部電路功耗及標(biāo)簽獲取射頻場(chǎng)能量的限制。為了在不犧牲識(shí)讀距離的情況下獲得更多擴(kuò)展功能，誕生了采用電池為標(biāo)簽內(nèi)部功能電路供電的電池輔助式無(wú)源射頻識(shí)別標(biāo)簽(BAT)也稱(chēng)作半無(wú)源標(biāo)簽。電池輔助式無(wú)源標(biāo)簽與無(wú)源標(biāo)簽工作原理

2、基本相同，并向下兼容無(wú)源標(biāo)簽通信協(xié)議。由于采用獨(dú)立電源供電，電池輔助式無(wú)源標(biāo)簽具有相對(duì)無(wú)源標(biāo)簽更加穩(wěn)定的工作性能及更遠(yuǎn)的識(shí)讀距離，解決了困擾無(wú)源標(biāo)簽?zāi)芰科款i的問(wèn)題。
　　本文首先針對(duì)超高頻射頻識(shí)別原理在理論上分析了電池輔助式標(biāo)簽在標(biāo)簽識(shí)別距離上相對(duì)無(wú)源標(biāo)簽的改進(jìn)及制約電池輔助式標(biāo)簽識(shí)度距離的因素。指出電池容量及標(biāo)簽靜態(tài)功耗為限制電池輔助式標(biāo)簽工作壽命的主要因素，由此提出了合理的標(biāo)簽電源管理方式可以有效的延長(zhǎng)電池輔助式標(biāo)簽的工作壽命

3、。同時(shí)，本文根據(jù)電池輔助式標(biāo)簽的指標(biāo)分析及工作需求，提出一種適用于電池輔助式標(biāo)簽的電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，包括基于射頻場(chǎng)能量檢測(cè)的電路喚醒級(jí)，閱讀器與標(biāo)簽進(jìn)行指令核對(duì)進(jìn)行標(biāo)簽開(kāi)啟的激活碼校驗(yàn)級(jí)，及滿(mǎn)足休眠條件時(shí)標(biāo)簽即刻返回休眠態(tài)的反激活電路，此結(jié)構(gòu)構(gòu)建了電池與射頻場(chǎng)供電的電源選擇系統(tǒng)，使標(biāo)簽電池電量不足或沒(méi)有外接電池的情況下依然可以采用無(wú)源標(biāo)簽?zāi)Ｊ焦ぷ?，從而變相延長(zhǎng)了標(biāo)簽的使用壽命。本文對(duì)電路各部分功能模塊進(jìn)行了詳細(xì)的設(shè)計(jì)與分析，進(jìn)行各部分功能仿