機械致單軸應變SOI研究.pdf

1、兼有SOI技術(shù)和應變硅技術(shù)優(yōu)點的sSOI(絕緣層上應變硅)技術(shù)是一種很具創(chuàng)新和競爭力的新技術(shù)，不僅顯著提高了載流子遷移率，而且消除了深亞微米下的各種寄生效應。sSOI已成為制造高速、低功耗集成電路的優(yōu)選工藝。
　　 本論文基于彈塑性材料彎曲回彈理論，提出了一種通過外加機械力對硅片引入單軸應變制備sSOI的新方法，即采用一片成品SOI晶圓片，通過機械彎曲與退火兩步工藝獲得晶圓級單軸應變SOI。該方法具有設(shè)備與工藝簡單、只需一片SO

2、I、不易破碎、成本低、應變量大等特點。按此實驗思想，本文利用自制的弧形彎曲試驗臺，成功制備了4英寸P型[110]晶向單軸壓應變SOI實驗樣品。通過RAMAN、HRXRD、AFM等表征技術(shù)對sSOI樣品進行表征，頂層硅的拉曼頻移為520.3cm-1，相應變量計算為0.077％，晶格常數(shù)為c1=0.542314305nm，高于體硅的晶格常數(shù)，表面粗糙度為9nm。測試結(jié)果證明，通過這種機械外力在SOI層結(jié)構(gòu)的頂部硅層引入應力的方法，具有可行性