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文檔簡介
1、NTCR(negative temperature coefficient resistance)由于穩(wěn)定性高,靈敏度高,可靠性好且價格低廉而得到了廣泛應(yīng)用。目前,對NTC熱敏電阻材料進(jìn)行摻雜處理,制備符合參數(shù)要求且性能穩(wěn)定的NTCR,已經(jīng)引起越來越多的關(guān)注。
論文主要以Mn-Co-Ni系尖晶石型NTCR材料為基礎(chǔ),對其進(jìn)行氧化物摻雜,采用傳統(tǒng)的電子陶瓷制備工藝,制備了一系列尖晶石型NTCR樣品,并在恒溫環(huán)境下測試樣品的室
2、溫(25℃)電阻,用室溫電阻率ρ25和材料常數(shù)B值表征NTCR樣品的電性能,分析并討論摻雜對尖晶石型NTCR電性能的影響。
首先,本論文系統(tǒng)地研究了SiO2、Al2O3、CuO和Bi2O3的單一摻雜對尖晶石型NTCR材料電性能的影響,發(fā)現(xiàn)SiO2和Al2O3的摻雜雖然可以提高材料的室溫電阻率和材料常數(shù)B值,但過量的摻雜不利于尖晶石型熱敏電阻材料的致密燒結(jié),其最佳摻入量在1.0wt%左右;CuO在高溫?zé)Y(jié)時可以作為助熔劑,而
3、Bi2O3不僅可以降低燒結(jié)溫度,而且它對材料的材料常數(shù)B值也有貢獻(xiàn)。
其次,本論文比較了Al2O3和SiO2以及ZnO、Al2O3與TiO2的摻雜對材料電性能的影響,結(jié)果表明Al2O3的摻雜對材料B值的貢獻(xiàn)要大于SiO2,而對二元系材料的摻雜發(fā)現(xiàn),樣品的室溫電阻率變化較小,但B值變化較大。最后對尖晶石型NTCR材料混合摻雜CuO、Al2O3、Bi2O3和Fe2O3,結(jié)果發(fā)現(xiàn)在1200℃燒結(jié)時,得到室溫電阻率=550 Ω·c
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