單晶硅片的表面織構(gòu)化與應(yīng)用.pdf

1、目前，晶體硅太陽(yáng)電池在地面光伏發(fā)電中仍占據(jù)主導(dǎo)地位。而單晶硅太陽(yáng)電池憑借光電轉(zhuǎn)換效率高、使用壽命長(zhǎng)、成本逐漸降低等優(yōu)勢(shì)占有一定的市場(chǎng)份額，工業(yè)上單晶硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到20％左右。本文以最新的金鋼線切割單晶硅片為研究對(duì)象，采用低成本擇優(yōu)的堿性溶液進(jìn)行表面織構(gòu)的制備。
　　本文通過(guò)金剛線切割的單晶硅片同常規(guī)砂漿切割的單晶硅片進(jìn)行對(duì)比，研究了堿性溶液對(duì)兩種切割工藝單晶硅片表面織構(gòu)的影響，分析了經(jīng)表面織構(gòu)后樣品的表面形貌、反

2、射率及其太陽(yáng)電池的性能。結(jié)果表明:金鋼線切割的單晶硅片表面損傷層厚度為3-5μm，低于砂漿工藝生產(chǎn)的單晶硅片(12-17μm)，表明金鋼線切割工藝可以有效的降低硅料損耗。在中心波長(zhǎng)650 nm處，金鋼線切割工藝獲得的原始硅片表面反射率高達(dá)42.36％，而砂漿工藝獲得的原始硅片僅為30.63％。利用堿性溶液對(duì)兩種工藝獲得的原始硅片進(jìn)行表面織構(gòu)能有效地降低硅片表面反射率。表面織構(gòu)后，金剛線切割工藝的單晶硅片的表面反射率僅為10.80％，明顯