電參數(shù)對(duì)鎂合金微弧氧化起弧和陶瓷層生長(zhǎng)過(guò)程的影響.pdf

1、采用峰值電流輸出模式下脈寬、脈數(shù)獨(dú)立可調(diào)式微弧氧化電源，以降低能耗為口標(biāo)，研究電參數(shù)對(duì)AZ31B鎂合金微弧氧化起弧及陶瓷層生長(zhǎng)過(guò)程的影響，探討微弧氧化臨界起弧所需的必要條件，分析不同能量輸出模式下鎂合金微弧氧化起弧和陶瓷層生長(zhǎng)過(guò)程所需功率和能量，確定最佳的電參數(shù)輸出方式。本文采用電化學(xué)工作站測(cè)定起弧瞬間所得膜層的阻抗值，借助掃描電子顯微鏡(SEM)觀察微弧氧化陶瓷層表而形貌，通過(guò)渦流測(cè)厚儀測(cè)量微弧氧化陶瓷層的厚度。
　　 研究結(jié)

2、果表明：增大脈寬和增加脈數(shù)均可有效縮短鎂合金微弧氧化的起弧時(shí)間，且當(dāng)脈寬為30μs、脈數(shù)為1650、峰值電流密度為50A/dm2時(shí)，起弧單脈沖功率最低為4.0KW，起弧能耗最小僅為2.4KJ；在微弧氧化通電初期，鎂合金樣品表而有MgO顆粒生成，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，樣品表而阻抗持續(xù)增大，直到達(dá)到3.095E4Ω發(fā)生起弧現(xiàn)象。因此，高阻抗障礙層是微弧氧化前期臨界起弧必不可少的條件；增大脈寬和增加脈數(shù)均可使陶瓷層生長(zhǎng)速率增大、陶瓷層表而微孔孔徑增

3、大、生長(zhǎng)單位厚度的陶瓷層所消耗的能量增多，同時(shí)在相同脈數(shù)、脈寬條件下，隨著峰值電流密度的提高，生長(zhǎng)速度增快、能耗增多。綜合陶瓷層生長(zhǎng)速度和單位能耗考慮，脈寬30μs和脈數(shù)1650為得到的最佳工藝參數(shù)。
　　 在等電通量條件下，不同的電參數(shù)對(duì)鎂合金微弧氧化起弧過(guò)程有著一定影響，即脈寬固定在30μs左右，脈數(shù)盡最大的情況下，可以使起弧時(shí)間相對(duì)縮短，起弧能量也相應(yīng)降低。鎂合金微弧氧化陶瓷層生長(zhǎng)速度和能耗均與脈寬、脈數(shù)、峰值電流密度有關(guān)