大氣等離子體加工技術(shù)定量去除研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體工業(yè)及光學(xué)工程發(fā)展，含硅材料的超光滑表面需求量越來越大，而表面質(zhì)量要求尤為苛刻。由于眾多含硅材料難于加工，而面型要求復(fù)雜，對(duì)于現(xiàn)存?zhèn)鹘y(tǒng)加工手段提出挑戰(zhàn)。廣泛使用的機(jī)械加工方法以接觸式加工為主，一方面會(huì)損傷材料表面晶格，留下殘余應(yīng)力與亞表層損傷，另一方面對(duì)設(shè)備要求很高，實(shí)現(xiàn)非球面元件的拋光仍然難于在效率要求、精度要求及經(jīng)濟(jì)性之間平衡。因此，大氣等離子加工技術(shù)作為一種具有良好前景的新型加工手段被引入視野。
　　由此，為了使用

2、大氣等離子體加工方法滿足上述要求，對(duì)該技術(shù)在超光滑表面定量去除存在的幾個(gè)關(guān)鍵問題開展了研究。首先，搭建了大氣等離子體射流加工實(shí)驗(yàn)平臺(tái)著重設(shè)計(jì)改進(jìn)了等離子體發(fā)生器結(jié)構(gòu)。然后，圍繞大氣等離子體主要工藝參數(shù)，以提高加工效率和降低沉積缺陷為目標(biāo)設(shè)計(jì)完成了實(shí)驗(yàn)優(yōu)化研究。在此基礎(chǔ)上，建立了等離子體內(nèi)部反應(yīng)的簡(jiǎn)化模型，從機(jī)理層面解釋了實(shí)驗(yàn)中存在的現(xiàn)象并對(duì)工藝參數(shù)選擇提出了建議。最后，使用Lucy-Richardson解卷積算法編寫了駐留時(shí)間解算程序，