不同形貌Cu@Ag粉體的制備及其導電膠的研究.pdf

1、電子工業(yè)中主要用錫鉛焊料來完成電子元件的封裝連接，但錫鉛焊料中的鉛對人危害大，世界上許多國家出臺一系列政策法令限制鉛的使用，因此需要研制可能替代錫鉛功能的新材料。導電膠與錫鉛焊料有相似的功能，但目前銀導電膠成本較高，銅粉有較好的導電率但易氧化，在導電膠中性質(zhì)不穩(wěn)定。本文制備了不同形貌系列的銀包覆銅粉作導電膠導電填料，并研究了其導電膠的性能。
　　 用環(huán)保維生素C(Vc)作還原劑和β-糊精作保護劑，成功制備了納米級的銀包覆銅粉體，

2、主要研究了填料順序、Vc濃度、溫度、pH等因素對銅顆粒形貌、大小的影響，分析了各個因素對銅粉生長的作用。以制得的銅納米粉體為核，采用異相成核的辦法制備了銀包覆銅粉體，對銀層的成核.生長包覆原理進行了研究。用NH3·H2O作絡合劑制備了微米級的銅顆粒，通過化學置換的方法一次性制備了含銀量較高的銀包覆銅粉體，對包覆粉體的結構和抗氧化性能進行了研究，并研究了Ag/Cu比例對復合粉銀含量的影響。用XRD、TEM、XPS、FT·IR、TG-DTA

3、等手段表征了銅粉及包覆粉的組成結構，結果制得的包覆粉體銀層較為致密，銀層含量較高達到90％以上，抗氧化效果明顯。
　　 研究了溫度、模板劑PEG800濃度對片狀銅粉的影響，分析了模板劑對片狀銅粉生長的導向作用，制備出了(111)方向結晶良好沒有氧化的片狀銅粉，最終得到較好的制備條件為：CPEG800=90ml/L，T=80℃，CCuSO4·5H2O=0.2mol/L，CNaH2PO2·H2O=0.14mol/L。利用置換的辦法制

4、備了銀包覆銅片狀粉體，研究了不同的Ag/Cu比例對復合粉體含銀量的影響，對包覆粉體的結構進行了表征和抗高溫氧化性測試，顯示包覆后的銅粉抗氧化效果明顯。
　　 用乙二胺、聯(lián)氨、NaOH為原料在常壓低溫80℃下制備了銅納米線，研究了乙二胺濃度、NaOH濃度、溫度、攪拌作用對銅納米線生長的影響，利用置換法制備了銀包銅納米線，分析了包覆機理。銅納米線較好的制備工藝為，乙二胺17.5ml/L、NaOH為17.5M、反應溫度為60℃、不攪拌

5、的情況下可得較好的銅納米線。研究了Ag/Cu比例對銀包覆銅納米線的影響，結果顯示銅納米線因比表面積大，易造成銅的大量損耗。
　　 將環(huán)氧樹脂用丙酮稀釋，在環(huán)氧樹脂：丙酮=6:4時，粘度15.11mPa·s的樹脂基作為導電膠基體。將所制備的粉體作為導電填料與樹脂基復合制備導電膠。對不同形貌的銅粉和銀包覆粉導電膠的導電性研究發(fā)現(xiàn)：包覆粉的導電膠導電性明顯高于同比銅粉導電膠，因為包覆粉體的載流子濃度高于未包覆粉體；片狀填料導電膠明顯高