中紅外銻化物激光器工藝中刻蝕研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文在簡要的介紹了銻化物半導(dǎo)體激光器的發(fā)展現(xiàn)狀后，分析并討論了目前銻化物激光器的工藝制造中存在的問題。
　　首先，文章中針對四元系的化合物AlGaAsSb、InGaAsSb的晶格常數(shù)進行了計算與分析，并分別討論了其晶格常數(shù)隨著Al、In組分多少的變化關(guān)系，給出了兩種化合物的禁帶寬度折射率等參數(shù)，并對于波導(dǎo)層的厚度對激光器性能的影響進行了討論，我們發(fā)現(xiàn)0.3μm-0.5μm的波導(dǎo)層厚度是最佳選擇，并依據(jù)以上的理論基礎(chǔ)設(shè)計了2μmA

2、lGaAsSb/InGaAsSb量子阱激光器的結(jié)構(gòu)。
　　其次，文章對于刻蝕工藝中的干法以及濕法刻蝕進行了簡要的介紹，并且采用氫氟酸系及磷酸系腐蝕液對于GaSb基材料進行了濕法刻蝕的實驗探究并在兩種酸系溶液中加入分別加入酒石酸進行對比試驗。
　　實驗結(jié)果表明，氫氟酸系及磷酸系這兩種腐蝕液對GaSb材料都有較好的刻蝕效果，腐蝕速率平穩(wěn)，適當(dāng)調(diào)整腐蝕液組分可以調(diào)控腐蝕速率，刻蝕后形貌良好，材料表面平整光滑。在兩種酸系溶液中加入并

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