2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、對微觀損傷演化規(guī)律的認(rèn)識是金屬材料斷裂建模的基礎(chǔ)。分子動力學(xué)模擬是研究金屬材料微觀塑性變形、相變、微觀損傷斷裂等微觀力學(xué)規(guī)律的有效方法。
  本文采用分子動力學(xué)方法模擬了高應(yīng)變率拉伸條件下:(1)面心立方單晶銅中微空洞的成核與早期生長;(2)含納米空洞的單晶銅中位錯成核的微觀機(jī)理;(3)空洞生長與貫通的尺寸效應(yīng)。使用鍵對分析技術(shù)、團(tuán)簇分析和界面構(gòu)造技術(shù)等分子動力學(xué)后處理方法分析了缺陷結(jié)構(gòu)和空洞界面的演化規(guī)律。具體研究結(jié)果如下:

2、r>  對高應(yīng)變率拉伸條件下完整單晶銅中微空洞成核與早期生長過程的細(xì)致分析表明,微空洞在位錯密集區(qū)通過位錯攀移形成空穴串而成核,損傷區(qū)域的應(yīng)力分布波動不大,局部負(fù)壓集中不是微空洞成核的原因。伴隨周圍材料的塑性變形,微空洞由長條形逐漸演化為柱形-橢球形-類球形。最后與鄰近空洞相互作用而貫通為一個更大的空洞,造成材料內(nèi)部的宏觀斷裂。在含雙納米空洞的單晶銅體系中,微空洞在位錯密集的交匯處成核,其形狀受交匯處位錯線運(yùn)動方向的影響,類似扁三角形,

3、并在位錯滑移與攀移的作用下逐漸演化為類球形。
  含納米空洞的單晶銅中位錯成核的微觀機(jī)理研究結(jié)果表明,高應(yīng)變率單軸拉伸單納米空洞單晶銅時,微空洞表面同時啟動4個滑移體系,位錯優(yōu)先在這4個滑移體系上成核、遷移;在無窮邊界上施加恒常應(yīng)力條件下,滑移面上沿滑移方向上的分切應(yīng)力可以很好地解釋位錯成核現(xiàn)象;受滑移系的影響,空洞形狀演化為類八面體。單軸拉伸不同空間分布的雙納米空洞單晶銅時,不同分布的空洞周圍呈現(xiàn)不同的位錯形貌、滑移速度和空洞增

4、長速度。這是由于雙空洞的作用使空洞周圍呈現(xiàn)不同的應(yīng)力集中區(qū),而位錯成核需要一定寬度的應(yīng)力集中區(qū)域。
  面心立方銅晶體中空洞生長與貫通的尺寸效應(yīng)的相關(guān)研究結(jié)果表明,不同尺寸的微空洞都是通過空洞表面發(fā)射位錯長大與貫通的,隨空洞尺寸的減小,臨界屈服應(yīng)力逐漸增大。當(dāng)微空洞半徑較大時,位錯在空洞表面對稱成核、遷移,微空洞沿加載方向被拉長,演化過程相似;當(dāng)微空洞半徑較小時,位錯在空洞表面不對稱成核,微空洞沿垂直方向被拉長。微空洞的生長可以分

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