納米ZnO和釓鋁石榴石的水熱法制備及特性表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅(ZnO)是一種重要的直接寬帶隙化合物半導體材料，具有優(yōu)良的壓電、熱電、光電特性，其禁帶寬度為3.37eV，室溫下激子束縛能高達60meV，遠高于其它半導體材料?，F在諸多研究者已成功生長出了如納米線、納米管、納米帶、納米環(huán)等新奇的ZnO納米結構。這些納米結構顯現出許多不同于體材的優(yōu)異特性，在制備納米光電子器件和納米電子器件方面將發(fā)揮重要作用。
　　 釔鋁石榴石(YAG)單晶屬等軸晶系，具有光學均勻性，無雙折射效應，是廣泛使

2、用的激光和發(fā)光基礎材料。鈰摻雜釔鋁石榴石是制備白光LED的首選熒光粉，白光LED將成為替代白熾燈、熒光燈和高強度氣體放電燈之后的第四代光源，具有廣闊的應用前景。但白光LED的性能距離照明用標準還有一定差距，因此作為LED上游基礎材料的一個重要組成部分，YAG:Ce熒光粉的性能仍需要改善提高。
　　 本論文的工作有如下幾個部分：
　　 1、用水熱法制備了硫摻雜比例不同的納米ZnO粉體，通過X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微

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