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1、西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文SinkSource雙數(shù)據(jù)速率(DDR)終端穩(wěn)壓器芯片XD8339的設(shè)計(jì)與研究姓名:李昕琳申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專(zhuān)業(yè):電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師:來(lái)新泉20100101AbstractThepopularizationtherapidgrowthofptableelectronicproductsresultinmemeattentionwhichpaidtopowermanageprojectswithhighperf
2、mancelowcost.Asacompetitivekindofpowermanagementthenewgenerationoflowout(LDO)linearregulatwithultralownoisehighPSRRmicropowerdissipationthelowestcostwillplayanimptantroleinthepowermanagement.Thepaperisbasedontheproject“T
3、heeticalresearchdesignofkeytechniquefdeepsubmicronpowermanagementICmixedsignalIC”.AsadetailedpracticeXD8339asinksourceDDRTerminationRegulatisproposed.TwoNMOStransistswhichcanachieveultralowoutvoltageareadoptedsimultaneou
4、slytobecapableofbothsourcingsinkingcurrent.TocatertomarketdemsfregulatofhighperfmancethepaperanalyzesthekeyLDOtechniqueseveralimptantacteristicsofLDOlinearregulatwhichcanbereferredfthenewLDOregulat.Herethedesignofsystems
5、tructurecircuitofthisregulatarealsodescribedindetail.Meoveritprovidesanoptimalmethodtokeepthesystemstablewhentheloadcurrentgoeshighwhichisusuallydifficulttosolve.BasedontheprincipleofLDO0.5μmCMOSprocessthewholechipitssub
6、blockshavebeendesignedsimulatedusingtheEDAsoftwaresuchasCadenceHspice.Accdingtothesimulationresultsthefunctiontheperfmanceofthewholecircuithavebeenmetalltherequirements.Keywds:PowerManagementLDOUltraLowoutHighPowerLoadPo
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