稀土RE3+(Tb3+、Eu3+)摻雜的以SiO2和LaF3為基質(zhì)的納(微)米發(fā)光材料的制備與發(fā)光性質(zhì)的研究.pdf

1、本論文首先采用了溶膠－凝膠法在室溫條件下制備了稀土Tb3+摻雜的復(fù)合納米材料LaF3－SiO2，通過XRD、TG－DTA、IR、TEM、激發(fā)和發(fā)射光譜、三維光譜分析了材料的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能。結(jié)構(gòu)表征得出，在270-600℃溫度范圍內(nèi)是LaF3逐漸成型的階段，600℃時(shí)形成了晶粒度最佳發(fā)光最好的氟鈰礦六方型結(jié)構(gòu)，當(dāng)高于800℃時(shí)，材料的晶體結(jié)構(gòu)被破壞而轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài)的SiO2結(jié)構(gòu)，經(jīng)600℃及以上溫度退火后，材料主要存在Si－O-Si鍵；發(fā)光

2、性能研究表明，最佳退火溫度為600℃，樣品在544nm監(jiān)測波長下，最佳激發(fā)波長為288nm，其中稀土Tb3+的最佳摻雜摩爾濃度為0.25％。同樣的我們采用溶膠－凝膠法在室溫條件下制備了摻雜稀土Eu3+的復(fù)合微米材料LaF3-SiO2，通過XRD、TG-DTA、IR、激發(fā)和發(fā)射光譜研究了材料的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能。結(jié)構(gòu)表征表明，La5Si95為樣品的最佳摻雜配方，在500℃時(shí)樣品以LaF3六方晶相存在，當(dāng)經(jīng)過500℃及以上溫度退火后，材料主要存

3、在Si－O－Si鍵；發(fā)光性能研究表明，最佳退火溫度為500℃；樣品在612nm監(jiān)測波長下，最佳激發(fā)波長為395nm，其中稀土Eu3+的最佳摻雜摩爾濃度為0.35％。
　　 綜上所述，我們制備的摻雜稀土離子的復(fù)合發(fā)光材料LaF3－SiO2的方法是環(huán)境友好型的，不僅節(jié)約了原料的用量，而且稀土用量也大大降低，達(dá)到了節(jié)約原料并且得到高發(fā)光效率的材料的目的。而且由于LaF3與SiO2相互影響使得在摻雜稀土離子后對復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)也產(chǎn)生了不同