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1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文ZnONb2O5TiO2系微波介質(zhì)陶瓷低溫?zé)Y(jié)特性的研究姓名：張嶺申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：姜?jiǎng)倭?0101230華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文IIAbstractThedevelopmentofmicrowavetechnologyiscontinuouslypushingmobilecommunicationequipmentsptableterminaltomi
2、cromationmodularization.LowTemperatureCofiredCeramic(LTCC)techniqueisthebestmethodtoachievetheaim.TomatchtheLTCCtechniquetherequestofhighfrequencycomponentsmicrowavedielectricceramicsaredevelopingtolowsinteringtemperatur
3、ehighQfvalueslowτfvalues.ZnNb2O6ceramicisanexcellentmicrowavedielectricceramicwithhighQfvalue(83700GHz).Howeverithaslowrelativepermittivity（25）largenegativeτfvalue（56ppm℃）highsinteringtemperature(1150℃)whichstopsitfromsi
4、nteringwithlowmeltingpointelectrodematerialslikeAgCuetc.FtheaboveindertopromotetherelativepermittivityadjusttheτfvalueweaddedsomeamountofTiO2totheZnNb2O6ceramicfoundthatZnONb2O52TiO2ceramicscouldsinterat1125℃withεr=46.79
5、Qf=13481GHzτf=57.3ppm℃.ThenSnO2MnO2wasdopedtomodifiedtheceramic.ThedopingofSnO2MnO2couldinhibitthefmationofthesecondphaseimprovetheQfvaluesoftheceramicsinacertainrangelowertheτfvalues.AlsoMnO2couldlowerthesinteringtemper
6、atureto1060℃.TheresultsshowedthatZnONb2O51.92TiO20.08SnO2ceramicscouldsinterat1125℃withεr=47.84Qf=16533GHzτf=23.4ppm℃ZnONb2O51.91TiO20.08SnO20.01MnO2ceramicssinteredat1060℃wthεr=44.13Qf=17050GHzτf=15.7ppm℃.AtlastweusedZn
7、OB2O3(1:1)BaOCuOB2O3(1:1:1)twotypesofglasstolowerthesinteringtemperaturerespectively.TheresultdemonstratedthattheeffectofBaOCuOB2O3glassonloweringthesinteringtemperatureofZnONb2O51.91TiO20.08SnO20.01MnO2wasmuchbetterthan
8、ZnOB2O3glass.With4wt.%ZnOB2O3glassdopingtheceramicscouldsinterat930℃withεr=41.2Qf=8120GHzτf=18.9ppm℃with3wt.%BaOCuOB2O3glassadditiontheceramicscouldsinterat860℃withεr=41.2Qf=8120GHzτf=18.9ppm℃hadgoodprospectsinLTCCapplic
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