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1、本設(shè)計(jì)基于華虹NEC的0.35μm的CMOS工藝上實(shí)現(xiàn)的一款帶隙基準(zhǔn)電壓片內(nèi)溫度傳感器,其精度為±0.5℃。本設(shè)計(jì)通過帶隙與溫度的關(guān)系,設(shè)計(jì)出一路與溫度成正比的電壓量ΔVBE。然后通過適當(dāng)?shù)姆糯蠹夹g(shù)將該電壓進(jìn)行等比例放大至可檢測(cè)范圍,后面通過二階13bit sigma-delta調(diào)制器進(jìn)行采樣放大調(diào)制去除噪聲等工作,最后通過數(shù)字濾波器濾除帶外噪聲,并進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼`差補(bǔ)償,最終實(shí)現(xiàn)片內(nèi)溫度的檢測(cè)。
本文重點(diǎn)闡述了作者在整個(gè)系統(tǒng)中承
2、擔(dān)設(shè)計(jì)的三部分電路:基準(zhǔn)電流、電流調(diào)整以及ΔVBE生成電路,以及負(fù)責(zé)的整個(gè)芯片測(cè)試。該系統(tǒng)的前端帶隙基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路采用傳統(tǒng)的基準(zhǔn)電路,并加入了去運(yùn)放失調(diào)的斬波電路(Chopper),能有效降低失調(diào)對(duì)基準(zhǔn)電流的影響。在溫度范圍調(diào)節(jié)以及相對(duì)累計(jì)誤差補(bǔ)償問題上,本系統(tǒng)采用了一種小面積且高精度的電流調(diào)整電路來(lái)應(yīng)對(duì)。本設(shè)計(jì)中采用了動(dòng)態(tài)器件匹配(Dynamic Element Matching, DEM)技術(shù),減小ΔVBE生成電路的偏置電流由于器
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