版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、碳化硅(SiC)雙極型晶體管(BJT,Bipolar Junction Transistor)由于不存在二次擊穿的問題,以及沒有4H-SiC JFET器件的柵極驅(qū)動(dòng)的問題,以及4H-SiCMOSFET氧化層界面穩(wěn)定性和溝道遷移率的問題。除此之外,碳化硅雙極型晶體管(4H-SiC BJT)還具有易于封裝的優(yōu)點(diǎn)。因此對(duì)4H-SiC BJT功率器件的特性和結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究非常有必要而且具有重要的意義。
本文從BJT的基本工作原理出發(fā)
2、,利用Silvaco公司的Atlas數(shù)值仿真軟件對(duì)4H-SiC BJT功率器件的性能進(jìn)行了研究。為了真實(shí)可靠的得到仿真結(jié)果,文中首先在仿真器中建立了4H-SiC的物理模型并給出了材料參數(shù)。然后對(duì)垂直型4H-SiC BJT的性能進(jìn)行了研究。為了獲得高的電流增益,文中優(yōu)化了BJT的發(fā)射區(qū)到基極的間距、發(fā)射區(qū)長(zhǎng)度等幾何尺寸,并研究了器件的擊穿特性以及MJTE終端在4H-SiC BJT中的應(yīng)用?;鶇^(qū)在BJT中對(duì)電流增益有非常重要的影響。文中研究
3、了不同摻雜濃度下,基區(qū)寬度對(duì)擊穿電壓和電流增益的影響。并選取合適的基區(qū)摻雜和基區(qū)寬度以擊穿電壓和電流增益的折中。
本文也對(duì)平面型4H-SiC BJT的性能也進(jìn)行了研究。在double RESURF結(jié)構(gòu)的BJT基礎(chǔ)上,首次提出了利用基極場(chǎng)板,來降低擊穿時(shí)BC結(jié)在基區(qū)的耗盡。仿真發(fā)現(xiàn),基極場(chǎng)板的長(zhǎng)度越長(zhǎng),BC結(jié)在基區(qū)的耗盡越少。在選擇合適的基極長(zhǎng)度基礎(chǔ)上,對(duì)基區(qū)的摻雜濃度和寬度進(jìn)行了優(yōu)化。通過優(yōu)化,可以使平面型4H-SiC B
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 4H-SiC功率BJT器件特性研究.pdf
- 4H-SiC BJT功率器件新結(jié)構(gòu)與特性研究.pdf
- 高壓4H-SiC BJT功率器件特性研究.pdf
- 4H-SiC BJT功率器件特性與工藝研究.pdf
- 4H-SiC功率BJT的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 4H-SiC功率MOSFET特性研究與器件模擬.pdf
- 新型4H-SiC功率MOSFET器件研究.pdf
- 高性能4H-SiC BJT器件設(shè)計(jì)及制備技術(shù)研究.pdf
- 4H-SiC BJT直流增益與RF特性模擬研究.pdf
- 4H-SiC MESFETs微波功率器件新結(jié)構(gòu)與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 4H-SiC功率UMOSFET器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真研究.pdf
- 4H-SiC微波功率MESFET擊穿特性的研究.pdf
- 離子注入制備4H-SiC器件及其溫度特性研究.pdf
- 凹柵4H-SiC SIT的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和特性研究.pdf
- 基于4H-SIC的緩變基區(qū)BJT外延工藝研究.pdf
- 4H-SiC低壓同質(zhì)外延生長(zhǎng)和器件驗(yàn)證.pdf
- 4H-SiC MOS結(jié)構(gòu)工藝與電學(xué)特性研究.pdf
- 4H-SiC功率FJ—SBD的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 4H-SiC射頻-微波功率MESFETs新結(jié)構(gòu)與模型研究.pdf
- 4H-SiC RSD結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究及特性測(cè)試分析.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論