2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、碳化硅(SiC)雙極型晶體管(BJT,Bipolar Junction Transistor)由于不存在二次擊穿的問題,以及沒有4H-SiC JFET器件的柵極驅(qū)動(dòng)的問題,以及4H-SiCMOSFET氧化層界面穩(wěn)定性和溝道遷移率的問題。除此之外,碳化硅雙極型晶體管(4H-SiC BJT)還具有易于封裝的優(yōu)點(diǎn)。因此對(duì)4H-SiC BJT功率器件的特性和結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究非常有必要而且具有重要的意義。
   本文從BJT的基本工作原理出發(fā)

2、,利用Silvaco公司的Atlas數(shù)值仿真軟件對(duì)4H-SiC BJT功率器件的性能進(jìn)行了研究。為了真實(shí)可靠的得到仿真結(jié)果,文中首先在仿真器中建立了4H-SiC的物理模型并給出了材料參數(shù)。然后對(duì)垂直型4H-SiC BJT的性能進(jìn)行了研究。為了獲得高的電流增益,文中優(yōu)化了BJT的發(fā)射區(qū)到基極的間距、發(fā)射區(qū)長(zhǎng)度等幾何尺寸,并研究了器件的擊穿特性以及MJTE終端在4H-SiC BJT中的應(yīng)用?;鶇^(qū)在BJT中對(duì)電流增益有非常重要的影響。文中研究

3、了不同摻雜濃度下,基區(qū)寬度對(duì)擊穿電壓和電流增益的影響。并選取合適的基區(qū)摻雜和基區(qū)寬度以擊穿電壓和電流增益的折中。
   本文也對(duì)平面型4H-SiC BJT的性能也進(jìn)行了研究。在double RESURF結(jié)構(gòu)的BJT基礎(chǔ)上,首次提出了利用基極場(chǎng)板,來降低擊穿時(shí)BC結(jié)在基區(qū)的耗盡。仿真發(fā)現(xiàn),基極場(chǎng)板的長(zhǎng)度越長(zhǎng),BC結(jié)在基區(qū)的耗盡越少。在選擇合適的基極長(zhǎng)度基礎(chǔ)上,對(duì)基區(qū)的摻雜濃度和寬度進(jìn)行了優(yōu)化。通過優(yōu)化,可以使平面型4H-SiC B

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