CMK-5有序中孔碳以及碳納米管-半導(dǎo)體硫化物復(fù)合材料的合成與表征.pdf

1、CMK-5有序中孔碳材料具有較高的比表面積、合適的孔徑以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),在催化、電容器、吸附等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。碳納米管具有規(guī)則的孔道、優(yōu)良的導(dǎo)電性及吸附性能,將CdS等半導(dǎo)體修飾到碳納米管表面,有助于提高光生電子-空穴的分離及快速傳遞,在太陽能電池、光催化等領(lǐng)域顯示獨(dú)特的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
　　 本文以SBA-15為模板,吡啶為碳源,采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備了CMK-5有序中孔碳材料。研究表明:CMK-5的比表面

2、積和孔徑大小可以通過調(diào)變CVD時(shí)間和Si／Fe比來實(shí)現(xiàn)。隨CVD時(shí)間的延長(30 min→90min),CMK-5的比表面積和孔徑均增加；然而當(dāng)CVD時(shí)間延長到120min時(shí),由于碳沉積量的增加而使孔道逐漸填實(shí),CMK-5的比表面積和孔徑又會(huì)變小。隨著Si／Fe比的增加,CMK-5的比表面積和孔徑也會(huì)增加。
　　 分別以醋酸鎘和硫脲為原料,以丙烯酰胺為表面活性劑,采用溶劑熱技術(shù)合成了長徑比不同的CdS納米棒。研究表明,CdS納米

3、棒的尺寸及形貌可以通過調(diào)變丙烯酰胺的量及反應(yīng)時(shí)間得到控制。
　　 分別以醋酸鎘和硫脲為原料,二乙三胺-水及乙二胺-水為溶劑,采用溶劑熱技術(shù)制備了MWNTs／CdS復(fù)合材料。通過XRD、TEM、IP及UV-vis等技術(shù)對(duì)材料的結(jié)構(gòu)、形貌和性質(zhì)進(jìn)行表征,結(jié)果表明:硫化鎘納米粒子附著在多壁碳納米管表面。
　　 分別以硝酸銀和硫化鈉為原料,十二烷基磺酸鈉(SDS)為表面活性劑,常溫下制備了MWNTs／Ag2S復(fù)合材料。TEM結(jié)果